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使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器為變?nèi)荻O管提供偏置電壓的好處
變?nèi)荻O管在反向偏置電壓下運(yùn)行，會(huì)在PN結(jié)附近形成耗盡區(qū)，變反向偏置的水平，就能改變耗盡區(qū)的厚度，從而影響二極管的有效電容。
2013-01-12
數(shù)模轉(zhuǎn)換器 變?nèi)荻O管 偏置電壓
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如何選型壓敏電阻
壓敏電阻屬于關(guān)鍵器件，如何正確的選擇壓敏電阻，要從哪些方面去考慮？對(duì)信號(hào)傳輸線路，進(jìn)行ESD防護(hù)。
2013-01-11
選型 壓敏電阻 ESD
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用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源
用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源與工頻市電非隔離式穩(wěn)壓電源，盡管在電路上可能帶有危險(xiǎn)的電壓，但由于體積小、線路簡單。成本低，故在很多領(lǐng)域已得到較廣泛的應(yīng)用。
2013-01-10
工頻市電 無電源變壓器 離線式穩(wěn)壓電源
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如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題
目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。
2013-01-10
可控硅 過載
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詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護(hù)元件的區(qū)別
對(duì)于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護(hù)以及維修都是一個(gè)比較復(fù)雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護(hù)解決方案設(shè)計(jì)更輕松呢？本文從傳統(tǒng)的保護(hù)元器件入手，對(duì)比傳統(tǒng)過流過壓保護(hù)元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護(hù)元件的區(qū)別及其應(yīng)用限制...
2013-01-10
TBU 保護(hù)元件 TPS
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ESD的保護(hù)方法
ESD保護(hù)元件的對(duì)比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。
2013-01-10
ESD 保護(hù) TLP
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詳解開關(guān)電源嘯叫的原因
測試開關(guān)電源或在實(shí)驗(yàn)中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時(shí)有時(shí)無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。
2013-01-10
開關(guān)電源 嘯叫 大電流
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詳解貼片鉭電容的頻率特性
貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個(gè)小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。
2013-01-10
貼片鉭電容 頻率特性 能量損耗
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三星與Synopsys攜手，14納米FinFET流片首次成功實(shí)現(xiàn)
FinFET晶體管可以實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時(shí)帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片，同時(shí)雙方圍繞Synopsys IP、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及提取和簽核工具等領(lǐng)域進(jìn)行合作。
2013-01-10
三星 Synopsys FinFET晶體管
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