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恒流二極管及其在驅(qū)動(dòng)LED中的應(yīng)用
很早就已經(jīng)出現(xiàn)了恒流二極管，但是這種二極管并沒(méi)有引起人們的關(guān)注，因?yàn)樗皇怯糜谀承﹥x器儀表中作為電流的標(biāo)準(zhǔn)。然而近來(lái)隨著LED產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，這種二極管突然引起了廣泛的興趣。很多國(guó)外的大公司都開發(fā)出這種產(chǎn)品以供驅(qū)動(dòng)LED，這是因?yàn)長(zhǎng)ED必須采用恒流源作為驅(qū)動(dòng)的原因。下面我們將要深入討論...
2011-11-11
恒流二極管 LED 二極管 LED驅(qū)動(dòng)器
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高頻電路的電磁兼容設(shè)計(jì)誤區(qū)分析
電磁兼容的問(wèn)題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下，個(gè)別問(wèn)題（電壓跌落與瞬時(shí)中斷等）除外。高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的，如果仍然按照普通的控制思維來(lái)判斷分析，則會(huì)走入設(shè)計(jì)的誤區(qū)。
2011-11-11
電磁兼容 EMC 高頻特性 高頻
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研究高性能新型器件，助力新興市場(chǎng)應(yīng)用
——順絡(luò)電子參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)電路保護(hù)專業(yè)技術(shù)與解決方案供應(yīng)商深圳順絡(luò)電子股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI 順絡(luò)電子
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錢振宇教授技術(shù)講座：深度解讀EMI/EMC新國(guó)標(biāo)
——錢振宇教授參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)國(guó)內(nèi)知名EMC專家錢振宇教授于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI
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提升LED照明電路保護(hù)高可靠性設(shè)計(jì)
——AEM科技參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)電路保護(hù)專業(yè)技術(shù)與解決方案供應(yīng)商AEM科技股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI AEM科技
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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)的850nm紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動(dòng)電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功...
2011-11-11
VSMY7852X01 VSMY7850X01 Vishay SurfLight 紅外發(fā)射器
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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)5大關(guān)鍵點(diǎn)
這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電...
2011-11-11
LED驅(qū)動(dòng) 開關(guān)損耗 功率管 導(dǎo)通
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LDO的功耗和壓差分析
便攜產(chǎn)品電源設(shè)計(jì)需要系統(tǒng)級(jí)思維，在開發(fā)由電池供電的設(shè)備時(shí)，諸如手機(jī)、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品，如果電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)不合理，則會(huì)影響到整個(gè)系統(tǒng)的架構(gòu)、產(chǎn)品的特性組合、元件的選擇、軟件的設(shè)計(jì)和功率分配架構(gòu)等。
2011-11-11
LDO MOS管 恒流源 調(diào)整元件
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提高RF_PA效率的技術(shù)比較
在向著4G手機(jī)發(fā)展的過(guò)程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和HSDPA，與此同時(shí)，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIMO天線技術(shù)，乃至支持VoWLAN的組網(wǎng)，因此，在射頻信號(hào)鏈設(shè)計(jì)的過(guò)程中，如何降低射頻...
2011-11-11
射頻功率放大器 效率 SiGe工藝 CMOS工藝
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
- 電壓放大器：定義、原理與技術(shù)應(yīng)用全景解析
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