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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結構”FET器件（如圖2所示）使這項技術更進一步。這些器件基于獨特...

2024-04-15

Qorvo  SiC FET  SiC MOSFET

加速汽車電氣化：釋放封裝創(chuàng)新的力量

我們知道與大多數人成長過程中所乘坐的傳統(tǒng)汽車相比，今天的汽車更接近于輪子上的電子產品——盡管我們曾經對其引擎蓋下的內部工作和控制感到驚嘆，但現代汽車已將其變?yōu)閺碗s的計算機。近年來，隨著設計人員尋求減輕重量、提高可靠性、簡化車輛組裝、創(chuàng)造差異化功能以及實施先進的駕駛輔助和自動駕駛...

2024-04-15

如何計算放大器的輸入電阻（通俗易懂）

單片差分放大器是集成電路，包含一個運算放大器（運放）以及不少于四個采用相同封裝的精密電阻器。對需要將差分信號轉換成單端信號同時抑制共模信號的模擬設計人員而言，它們是非常有用的構建塊。例如，圖1所示的INA134目的是用作適合差分音頻接口的線路接收器。

2024-04-15

計算放大器  輸入電阻

處理穩(wěn)壓器中高開關頻率的PCB布局

本文由ADI代理商駿龍科技工程師通過介紹理想電路和實際電路仿真，回顧開關波形，檢查 PCB 布局，并使用理想的仿真模型，以確認當穩(wěn)壓器的開關頻率較高時可使用的電子元件。

2024-04-15

穩(wěn)壓器  高開關頻率  PCB

使用瑞薩電子 RA8M1 MCU 快速部署強大而高效的機器學習

人工智能 (AI)、機器學習 (ML) 和物聯網 (IoT) 網絡邊緣的其他計算密集型工作負載的興起給微控制器 (MCU) 帶來了額外的處理負載。 即使設計人員被要求最大限度地降低功耗并加快上市時間，處理這些新的工作負載也會增加功耗。

2024-04-09

瑞薩電子  MCU   機器學習

在智能樓宇設計中提升效率和可持續(xù)性的關鍵技術

您有沒有過這樣的體驗？在大樓的進口處，刷一下門禁卡就能通行；走進黑暗的會議室時，燈光就會自動打開；當辦公區(qū)域的人員增多時，空調便會自動啟動來調節(jié)室溫。這些都是智能樓宇體驗的例子。隨著商業(yè)樓宇管理人員發(fā)現確實需要采用更多的智能樓宇技術平臺，要管理好這些大量現場辦公的人員，各種先...

2024-04-09

智能樓宇設計

凌華科技發(fā)布基于 Intel? Amston-Lake 處理器的模塊化電腦，適合加固級邊緣解決方案

用高性能的 Intel Atom x7000RE 和 x7000C 系列處理器,支持板貼內存和軍用寬溫級選擇,可實現工業(yè)級的穩(wěn)定性

2024-04-09

凌華科技

通過工藝建模進行后段制程金屬方案分析

隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。相比金屬線寬度，阻擋層尺寸較難縮減（如圖1）。氮化鉭等常見的阻擋層材料電阻率較高，且側壁電子散射較多。因此，相關阻擋層尺寸的增加會導致更為顯著的電阻電容...

2024-04-08

工藝建模  后段制程金屬

力森諾科（Resonac）對湖南初源、瑞鈦提起感光干膜材料專利侵權訴訟

2023年12月，力森諾科聯合其子公司力森諾科材料（東莞）有限公司，向深圳市中級人民法院正式提起訴訟，主張湖南初源新材料股份有限公司、湖南瑞鈦新材料科技股份有限公司等涉嫌侵犯其在感光干膜領域的中國專利權。 力森諾科要求法院判決被告企業(yè)立即停止生產和銷售涉及侵權的感光干膜產品，并賠償因...

2024-04-07

力森諾科