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一款低功耗的7通道達(dá)林頓晶體管
ULN2003V12支持3.3V至5V的CMOS邏輯輸入接口，從而使它兼容廣泛的微控制器和其他邏輯接口。ULN2003V12功能的改進(jìn)，最大限度地減少來(lái)自外部驅(qū)動(dòng)器的輸入直流電流輸入接口。
2013-01-06
低功耗 晶體管 CMOS
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光敏電阻的線(xiàn)性設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)負(fù)反饋線(xiàn)性響應(yīng)
由于光敏電阻的線(xiàn)性，以及非線(xiàn)性整流器負(fù)載與輸出端的隔離，因此增益控制引入的非線(xiàn)性可忽略不計(jì)。增益受控放大電路位于正向放大通路，其增益隨控制電壓而改變。控制電壓形成電路的基本部件是 AGC 檢波器和低通平滑濾波器，有時(shí)也包含門(mén)電路和直流放大器等部件。
2013-01-06
光敏電阻 線(xiàn)性設(shè)計(jì) 光耦合器
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高集成度和優(yōu)良的效率的H橋變壓器驅(qū)動(dòng)器
36V H橋變壓器驅(qū)動(dòng)器可以快速設(shè)計(jì)出高效率（高達(dá)90％），隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。MAX13256驅(qū)動(dòng)高達(dá)300mA的電流從8V到36V直流供電，可提供高達(dá)10W的隔離電源變壓器的初級(jí)線(xiàn)圈。
2013-01-06
集成 效率 驅(qū)動(dòng)器
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EMC射頻設(shè)計(jì)要著重屏蔽和濾波
一般的EMC設(shè)計(jì)指南中都很少涉及射頻設(shè)計(jì)，這是因?yàn)樯漕l設(shè)計(jì)者一般都很熟悉大多數(shù)連續(xù)的EMC現(xiàn)象，然而需要注意的是，本振和IF頻率一般都有較大的泄漏 ，所以需要著重屏蔽和濾波。
2013-01-06
EMC 射頻設(shè)計(jì) 濾波
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單線(xiàn)線(xiàn)并聯(lián)方案可以更好的提升功率水平
新的單線(xiàn)線(xiàn)并聯(lián)方案可以提升功率水平，零電流開(kāi)關(guān)的DC-DC轉(zhuǎn)換器利用獨(dú)創(chuàng)的負(fù)載均分方法，克服了傳統(tǒng)方案的缺點(diǎn)。這種架構(gòu)容許設(shè)計(jì)師利用AC耦合單線(xiàn)并聯(lián)提供更多功能。
2013-01-06
轉(zhuǎn)換器 并聯(lián) 功率水平
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開(kāi)關(guān)電源中元器件的選擇
開(kāi)關(guān)電源屬有穩(wěn)壓功能的AC/DC或DC/DC變換器，其中間環(huán)節(jié)仍然要通過(guò)脈沖狀態(tài)作為轉(zhuǎn)換媒介，元器件的選擇十分復(fù)雜化。
2013-01-05
開(kāi)關(guān)電源 感應(yīng)電壓 充電電流
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開(kāi)關(guān)電源運(yùn)用設(shè)計(jì)方案
DC/DC在接口電路與放大器的電路設(shè)計(jì)方案。實(shí)際使用中常會(huì)碰到一些技術(shù)性問(wèn)題，如干擾、電壓穩(wěn)定性差、可靠性差等等。
2013-01-05
開(kāi)關(guān)電源 運(yùn)用 設(shè)計(jì)
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從過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱三方面講述IGBT保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)
本文從過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)與過(guò)熱保護(hù)三個(gè)方面，論述了IGBT的相關(guān)問(wèn)題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。
2013-01-05
IGBT 保護(hù)電路 過(guò)流保護(hù)
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鋰電池保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)？
隨著便攜式設(shè)備不斷小型化、輕量化和高性能化的日益提高，作為其電源的二次電池市場(chǎng)正迅速拓寬，而鋰離子電池的眾多優(yōu)點(diǎn)使其成為了二次電池的主流產(chǎn)品。
2013-01-05
鋰電池 保護(hù)電路 電路設(shè)計(jì)
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