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SSM3K318T:Toshiba推出60V N溝道高壓功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-10-16 來源:中電網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 適合將電池電壓提升到需要打開LED陣列的電壓
  • 低導(dǎo)通電阻值為83.5毫歐姆(典型值)
  • 在VDS=30V的低電容為235pF
  • 新器件采用緊湊型TSM封裝,尺寸為2.9mmx2.8mmx0.7mm
適用范圍:
  • 目標(biāo)應(yīng)用LCD面板背景光,如汽車導(dǎo)航顯示器和12吋上網(wǎng)本PC
東芝美國(guó)電子元器件公司推出用于白光發(fā)光二極管(LED)的60V功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,目標(biāo)應(yīng)用LCD面板背景光,如汽車導(dǎo)航顯示器和12吋上網(wǎng)本PC。這些應(yīng)用通常需要24V~48V的高壓以激活串聯(lián)的8~16個(gè)白光LED。Toshiba SSM3K318T n 溝道功率MOSFET是小型尺寸,非常適合將電池電壓提升到需要打開LED陣列的電壓,具有更高效率的高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。

SSM3K318T在VGS=10V的低導(dǎo)通電阻值為83.5毫歐姆(典型值),和在VDS=30V的低電容為235pF。新器件采用緊湊型TSM封裝,尺寸為2.9mmx2.8mmx0.7mm。
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