中文在线中文资源,色鲁97精品国产亚洲AV高,亚洲欧美日韩在线一区,国产精品福利午夜在线观看

你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

Si8461DB/5DB系列:Vishay推出業界最小的芯片級MOSFET

發布時間:2009-11-06 來源:電子元件技術網

產品特性:
  • 器件最大尺寸僅為1mm x 1mm
  • 導通電阻比非芯片級器件提高10倍
應用范圍:
  • 負載開關、電池開關和充電開關應用

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET--- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業界最小的芯片級功率MOSFET。

在種類繁多的便攜式設備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實現更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。

在4.5V柵極驅動下,Si8461DB的導通電阻為0.1Ω,比非芯片級器件提高了10倍,而且具有相近的占位尺寸,為節約便攜設備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級,Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時的最大導通電阻,導通電阻與采用便攜式系統中常見的更小輸入信號的設備相匹配。對于充電開關等需要更高輸入電壓的應用,Si8465DB具有12V的柵源電壓,在4.5V和2.5V柵極驅動時的導通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。
要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

  • <center id="09kry"></center>

  • 主站蜘蛛池模板: 隆回县| 衡南县| 库伦旗| 南充市| 鲜城| 油尖旺区| 乌拉特中旗| 彭州市| 五寨县| 海宁市| 岑巩县| 清水河县| 平定县| 江山市| 长岭县| 霍州市| 大名县| 福海县| 朔州市| 宽甸| 华阴市| 三门县| 正安县| 抚松县| 宜章县| 易门县| 五峰| 南投县| 金坛市| 清镇市| 环江| 那曲县| 贞丰县| 古丈县| 阿克| 华蓥市| 宝清县| 灵石县| 山东省| 阿拉善左旗| 青铜峡市|