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HiSIM-IGBT:廣島大學開發并公開了IGBT模型

發布時間:2010-05-17 來源:技術在線

產品特性:
  • 可以精確表達兩個晶體管之間的相互作用
  • 使設計高精度電路成為可能
應用范圍:
  • 電路設計

廣島大學HiSIM研究中心的研究小組開發了IGBT(insulated gate bipolar transistor)電路設計和檢測用模型“HiSIM-IGBT”,并于近日在該大學向新聞媒體作了發布。并披露,已經面向車載集成電路設計人員等公開了該模型。


發布會現場 右邊是廣島大學的三浦道子(研究生院尖端物質科學研究科教授兼HiSIM研究中心中心負責人)

廣島大學從2005年開始就一直與豐田和豐田中央研究所共同研究普通車載用IGBT(insulated gate bipolar transistor)的模型。IGBT組合使用了雙極晶體管和MOSFET,而聯合研究小組則推導出可不分離這兩個晶體管,而整體模擬IGBT的模型公式,從而開發出了HiSIM-IGBT。制成一體化模型是為了精確表達兩個晶體管之間的相互作用。


IGBT和HiSIM-IGBT

HiSIM-IGBT以廣島大學和半導體理工學研究中心(STARC)聯合開發的MOSFET模型“HiSIM(Hiroshima-university STARC IGFET Model)”為骨架,并統合了雙極晶體管模型。據介紹,采用HiSIM-IGBT使設計高精度電路成為可能,有望大幅推進能源利用的高效率化。


HiSIM系列的標準化動向

模型的精度和穩定性評測已完成,已達到可公開的程度。據稱,有為模型做嵌入式評測的EDA工具供應商已表示,即便是大電流電路和大電壓電路,也可以穩定預測特性。廣島大學打算通過發布該模型,使更多的用戶利用,以便進一步改進。
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