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HEXFET系列:IR推出采用TSOP-6封裝的MOSFET產品

發布時間:2012-04-25

產品特性:

  • 采用TSOP-6封裝
  • 具備極低的導通電阻(RDS(on))
  • 能夠大幅降低傳導損耗
  • 最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等

適用范圍:

  • 適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件,適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。

全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on)),能夠大幅降低傳導損耗。新產品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件,最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列,與采用SOT-23和SO-8封裝的現有器件相輔相成,為客戶設計系統提供了更大的靈活性。這個平臺擁有極低的導通電阻,因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET,有助于減少電路板面積和系統成本。”

所有新器件均達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準,并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS),不含鉛、溴化物和鹵素。

產品規格

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