【導讀】宣布獲得韓國先進存儲芯片生產(chǎn)廠商購買Primo SSC AD-RIE™（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）的重復訂單。該設備被客戶用于16納米關鍵閃存芯片加工的首選設備，將用于大批量芯片生產(chǎn)。
中微半導體設備有限公司（簡稱“中微”）宣布獲得韓國先進存儲芯片生產(chǎn)廠商購買Primo SSC AD-RIE™（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）的重復訂單。該設備被客戶認可為用于16納米關鍵閃存芯片加工的首選設備（PTOR），將用于大批量芯片生產(chǎn)。此前，中微的Primo SSC AD-RIE™通過客戶生產(chǎn)線上嚴格的驗證，取得了比其他同類競爭產(chǎn)品更加優(yōu)異的結果。中微現(xiàn)在正在和客戶合作研究開發(fā)DRAM和3D NAND工藝。
圖1：中微單反應臺等離子體刻蝕設備Primo SSC AD-RIE(TM)
中微副總裁兼韓國區(qū)總經(jīng)理尹敬一表示，中微設備成為“PTOR”標志著中微取得了一項重大進展，他說道：“很明顯，現(xiàn)在處于世界前沿的客戶不單單想從供應商那兒尋找新設備，他們還希望能夠為復雜的生產(chǎn)過程帶來的挑戰(zhàn)尋求全面解決方案。這就要求先進技術和相關專業(yè)知識緊密聯(lián)系在一起，正是依靠這種模式，我們?yōu)樵摽蛻艚鉀Q了生產(chǎn)過程中碰到的各種問題，使得客戶的閃存芯片開發(fā)取得新的進展。”
Primo SSC AD-RIE™是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蝕設備產(chǎn)品，能夠滿足超高產(chǎn)能、優(yōu)異的芯片加工質量和芯片刻蝕技術可延展性等嚴苛的技術要求。Primo SSC AD-RIE™的晶圓傳遞平臺可配置多達6個單晶圓加工反應器，每個反應器可以獨立地設定加工條件，從而靈活地實現(xiàn)精準的工藝控制。每個反應器有極高的抽速，并有多區(qū)氣體分布、動態(tài)射頻功率以及多區(qū)溫度控制等可獨立調節(jié)的工藝參數(shù)。而在線工藝微調和穩(wěn)固的腔體設計避免了高深寬比刻蝕工藝中常出現(xiàn)的刻蝕停止現(xiàn)象以及工藝飄移現(xiàn)象的發(fā)生，從而提高刻蝕的重復性并更容易實現(xiàn)反應器之間的良好匹配，能夠大大提高生產(chǎn)效率。
中微刻蝕設備的一大關鍵優(yōu)勢在于它的配置極具靈活性。它在同一個主機系統(tǒng)上可以配備雙反應器實現(xiàn)高產(chǎn)出和低成本，或者也可以配備單反應器以滿足關鍵刻蝕工藝中高抽速等要求。這種配置的靈活性還體現(xiàn)在氣體控制系統(tǒng)的安裝上，他們既可以置于地面以便于維護，也可以置于設備上方以減少占地面積。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注冊商標。
