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首爾半導(dǎo)體公布其對(duì)InGaN系LED專利的立場(chǎng)

發(fā)布時(shí)間:2009-03-02

新聞事件:
  • 首爾半導(dǎo)體公布其對(duì)InGaN系LED專利的立場(chǎng)
事件影響:
  • 美國(guó)專利 5,075,742(以下簡(jiǎn)稱“742專利”)包含了在日本、德國(guó)、英國(guó)、法國(guó)的專利家族
  • 對(duì)于侵犯專利的企業(yè),首爾半導(dǎo)體有權(quán)使其停止銷售、使用并對(duì)給首爾半導(dǎo)體造成的損失予以賠償
首爾半導(dǎo)體日前宣布,美國(guó)得克薩斯法院經(jīng)審議決定,活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結(jié)構(gòu)特性方面屬于首爾半導(dǎo)體的專利。InGaN 是組成白、藍(lán)、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質(zhì)。作為上述美國(guó)得克薩斯法院審判對(duì)象的美國(guó)專利 5,075,742(以下簡(jiǎn)稱“742專利”)包含了在日本、德國(guó)、英國(guó)、法國(guó)的專利家族。

首爾半導(dǎo)體業(yè)務(wù)合作伙伴可使用這一專利。有關(guān)企業(yè)可以與首爾半導(dǎo)體簽訂戰(zhàn)略協(xié)議來(lái)得到專利許可。首爾半導(dǎo)體已跟美國(guó)和日本的三家企業(yè)簽訂了專利許可協(xié)議。對(duì)于侵犯專利的企業(yè),首爾半導(dǎo)體有權(quán)使其停止銷售、使用并對(duì)給首爾半導(dǎo)體造成的損失予以賠償。

首爾半導(dǎo)體一向尊重其他企業(yè)的知識(shí)產(chǎn)權(quán),并將繼續(xù)與這些尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)進(jìn)行公平的競(jìng)爭(zhēng)。而對(duì)于那些侵犯知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè),首爾半導(dǎo)體將對(duì)其采取必要手段以維護(hù)自己的專利權(quán)益。

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