產(chǎn)品特性：
- 推出高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 是500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET
- 提供有競(jìng)爭(zhēng)力的低導(dǎo)通阻抗實(shí)現(xiàn)極低的功率耗散
應(yīng)用范圍：
- 非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器等
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求，在這些應(yīng)用中，加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器，及應(yīng)用于A(yíng)TX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。
這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET，以提供有競(jìng)爭(zhēng)力的低導(dǎo)通阻抗(RDS(on))實(shí)現(xiàn)極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù)，能在極苛刻應(yīng)用中工作。低門(mén)電荷降低開(kāi)關(guān)損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應(yīng)用中提供強(qiáng)固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開(kāi)發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。
安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“推出這些器件系列僅是安森美半導(dǎo)體進(jìn)軍高壓功率MOSFET市場(chǎng)的第一步。我們戰(zhàn)略性地進(jìn)入了高壓開(kāi)關(guān)市場(chǎng)，提供充沛的500 V到600 V負(fù)載開(kāi)關(guān)方案選擇，更好地服務(wù)我們客戶(hù)的總體電源管理需求。未來(lái)我們將繼續(xù)擴(kuò)充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為消費(fèi)及工業(yè)客戶(hù)提供針對(duì)性的方案。這些新器件的推出是安森美半導(dǎo)體不斷加強(qiáng)其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應(yīng)商地位的又一實(shí)例。”
新推出的600 V MOSFET器件包括：
- NDD02N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元
- NDD02N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元
- NDD03N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元
- NDD03N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元
- NDD04N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
- NDD04N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
- NDF04N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
- NDF06N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.36美元
- NDF10N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.42美元
新推出的500 V MOSFET器件包括：
- NDD05N50Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
- NDD05N50ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
- NDF05N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
- NDF08N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.38美元
