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IR推出新車用40V至200V車用MOSFET系列

發布時間:2011-09-21 來源:佳工機電網

產品特性:

  • 電壓范圍從40V至200V
  • 符合AEC-Q101標準,材料環保不含鉛
  • 在5000次溫度循環時的最大導通電阻變化不到10%

應用范圍:

  • 電動助力轉向系統、集成式起動發電機泵和電機控制
  • 內燃機和混合動力汽車平臺上的其它重載應用


IR近日推出車用MOSFET系列,可為一系列應用提供基準導通電阻(Rds(on)) ,包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機(ISA)泵和電機控制,以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。

全新溝道HEXFET功率MOSFET系列采用多款表面貼裝器件(SMD)封裝,電壓范圍從40V至200V。標準和邏輯電平柵級驅動MOSFET都為IR車用塑料封裝MOSFET產品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在40V下最大為1.25毫歐,60V下最大為2.1毫歐,75V下為2.6毫歐,100V下為4.0毫歐。在D2Pak-7P封裝中許多器件的最大額定電流達240A。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR全新車用溝道MOSFET系列可在下一代汽車應用,包括集成式起動發電機和電動助力轉向系統應用中實現基準性能。”

所有IR車用MOSFET產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念,并經過了動態和靜態器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經過1, 000次溫度循環測試后,導通電阻變化幅度不能超過20%。然而,經過延長測試后,IR的新款AU物料單在5,000次溫度循環時的最大導通電阻變化不到10%,體現了該物料單的高強度和耐用性。

新器件符合AEC-Q101標準,所采用的材料環保,不含鉛,也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。 

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