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HOMSEMI MOSFET基于100KHz逆變焊機的應用評測

發布時間:2012-05-23 來源:成啟半導體

中心議題:
  • 本方案逆變頻率在100KHz以上, 可對熔滴過渡實現精細控制
  • 主控選用KA3525 驅動12個成啟半導體MOSFET HS20N50
  • 變壓器鐵心采用微晶鐵心和鐵氧體,重量比硅鋼片輕

本逆變焊機由香港凱泰科電子有限公司(KEYTECH)和成啟半導體(HOMSEMI)合作開發,逆變頻率在100KHz以上。由于本逆變焊機的工作頻率為100KHz以上,可以對熔滴過渡細分為多個階段進行控制。對CO2氣體保護焊來講,本方案可以大幅度降低飛濺。對脈沖熔化極惰性/活性氣體保護焊(MIG/MAG),本方案可有效地控制射流過渡的穩定性,還可以將熔滴過渡和送絲機構的運動結合起來,進行一步控制熔滴過渡的過程。這些是傳統整流焊機無法做到的。傳統焊機中變壓器的重量占了焊機重量的80%以上,逆變焊機中變壓器重量是焊機重量的1/5--1/10。逆變焊機重量是同容量整流焊機的1/2--1/4。
 
焊機是一個特殊的電源,輸出負載是電弧,有空載,短路的過程,焊接電源必須滿足焊接過程穩定性的要求。在許多場合下,焊接過程由人來完成,電源輸出端經常要接觸到人的身體,所以在焊接電源除滿足焊接過程的要求外,還要滿足人身的安全要求。以國內市電為例,輸入220V交流電經整流后,變成310V左右的高壓直流電,經逆變器變成高頻交流,經變壓器降壓,整流濾波后變成平滑直流電供焊機使用。在焊接鋁,鎂等金屬時需要交流電弧,還需要再加二次逆變環節,將直流變為交流,產生交流電弧,完成焊接過程。

本逆變焊機方案采用純硬件結構,主控芯片選用FAIRCHILD公司的電源IC KA3525 驅動12個成啟半導體(HOMSEMI)大功率MOSFET HS20N50。 橋式逆變電路由4*3個HS20N50和變壓器組成,變壓器一次回路中串聯隔直電容來校正變壓器的磁偏。

早期的逆變焊機中功率開關器件采用晶閘管,逆變頻率為2--3KHz,變壓器鐵心采用硅鋼片,本機采用成啟半導體(HOMSEMI)MOSFET,逆變頻率為100KHz以上,主變壓器鐵心采用微晶鐵心和鐵氧體。主變壓器介電強度和絕緣電阻均滿足國標要求,有理想的短路電流控制特性。

方案優勢
  • 體積小重量輕
  • 節能
  • 可實現熔滴過度的精細控制

HS20N50:
  • HOMSEMI PLANNAR MOSFET
  • VDS:500V
  • ID:20A
  • 針對逆變焊機應用優化
圖1:逆變焊機原理框圖
圖1:逆變焊機原理框圖
 圖2:逆變焊機主控電路原理圖
圖2:逆變焊機主控電路原理圖
圖3:逆變焊機主功率MOS工作波形 
圖3:逆變焊機主功率MOS工作波形

逆變氣保焊(NB系列)控制電路的特點

1,對其送絲機上的給定系統(電壓、送絲速度)進行了線性化處理,杜絕了小規范難以調整的缺陷。
2,對系統解調后的電壓、送絲(電流)速度給定信號進行了同步精密整流處理,消除了此類焊機大規范長線(收弧)情況下給定信號被干擾的現象。
3,優化了波形控制電路,大大減小了短路過渡下的焊接飛濺,從而提高了焊接質量。

IGBT在焊機中的應用

隨著IGBT技術的成熟,其在焊機的應用中越來越廣泛。IGBT即雙極型絕緣效應管,其開關頻率在20KHZ~50KHZ之間。但它可以通過大電流(單管可達60A),而且由于外封裝引腳間距大,爬電距離大,能抵御環境高壓的影響,安全可靠;同時IGBT與場效應管相比具有更低的導通壓降,在大電流使用環境下IGBT發熱量更小,所以IGBT特別適合應用在大功率逆變焊機。廣州成啟半導體已經啟動IGBT發展戰略,將聯合上下游廠商開發出越來越多的IGBT器件。

關于成啟半導體


廣州成啟半導體有限公司(HOMSEMI)是研發和生產功率半導體(MOSFET、IGBT)的一家高新科技企業,其經營特點是產品均與應用方案結合,針對具體不同的應用進行參數的匹配和優化。

香港凱泰科電子有限公司(KEYTECH):專注于功率電子元件的發展應用,特別在逆變焊機的應用中積累了深厚的經驗,可根據客戶需求設計逆變焊機方案并提供模板。
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