【導(dǎo)讀】ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC，還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
采用了無閂鎖效應(yīng)SOI工藝的高可靠性非隔離型柵極驅(qū)動器
ROHM的非隔離型柵極驅(qū)動器是使用了自舉方式的高邊/低邊柵極驅(qū)動器。通過采用無閂鎖效應(yīng)SOI工藝，實現(xiàn)了高可靠性。產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)時，會流過大電流，可能會導(dǎo)致IC或功率元器件損壞。可以通過元件布局和制造工藝來改善抗閂鎖性能，而ROHM的SOI（Silicon On Insulator）工藝通過SOI基板的完全介電分離法提高了耐壓性能，并且可以從結(jié)構(gòu)上避免閂鎖效應(yīng)。
反向恢復(fù)時間更短的超級結(jié)MOSFET：PrestoMOSTM
PrestoMOSTM是一種超級結(jié)MOSFET，以往的超級結(jié)MOSFET的問題在于內(nèi)部寄生二極管的反向恢復(fù)時間trr特性，而PrestoMOSTM系列產(chǎn)品不僅具有更短的反向恢復(fù)時間trr，而且損耗更低。
與IGBT相比，PrestoMOSTM在中低功率范圍內(nèi)的損耗電壓很小，因而可以減少損耗（參見左下圖）。另外，在電機驅(qū)動電路等電路中，還可以使用高速內(nèi)部寄生二極管，而無需使用外置快速恢復(fù)二極管（FRD）來減少由普通MOSFET和IGBT的再生電流引起的換流損耗。與FRD相比，PrestoMOSTM的寄生二極管的VF更低，因此損耗也更低。
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