中文在线中文资源,色鲁97精品国产亚洲AV高,亚洲欧美日韩在线一区,国产精品福利午夜在线观看

你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

智能手表手環AMOLED顯示屏電源芯片SGM38046

發布時間:2021-10-19 來源:圣邦微電子 責任編輯:wenwei

【導讀】隨著電子信息產品屏幕顯示技術的演進,AMOLED(Active-Matrix Organic LED)顯示屏,即有源矩陣有機發光二極管顯示屏,因具有色彩鮮艷、輕薄、主動發光(無需背光源)、視角寬、清晰度高、亮度高、響應快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強、可實現柔軟顯示等特點,成為當今高端顯示屏的熱門選擇。智能手環、智能手表等也已全面采用AMOLED顯示屏。


SGM38046是一顆專門為智能手環、智能手表等小尺寸AMOLED顯示屏提供AVDD、ELVDD、ELVSS的電源管理芯片,在對稱電壓ELVDD、ELVSS模式下效率優化。


小尺寸AMOLED顯示屏電源芯片技術演變路線


影響AMOLED電源器件架構的因素:


●    綜合尺寸(多電感、單電感、無電感);

●    輸入電壓范圍;

●    輸出電壓配置(非對稱電壓、對稱電壓);

●    負載電流大小。


幾種常見的單電感架構:


●    架構A:Boost + NVCP(負壓電荷泵);

●    架構B:Boost/Bypass + LDO + NVCP;

●    架構C:Buck-Boost + LDO + NVCP;

●    架構D:類似SGM38042的SIMO(單電感多輸出)架構。


無電感架構:


●    SGM38045:無電感架構,且待下回分解。


電荷泵結構簡介


1.png

圖1 幾種常見的電荷泵結構示意圖


電荷泵結構特點:


●    每使用一個飛電容,需要4個開關管,硅片開銷大。

●    在接近整倍率電壓下工作時,效率主要由開關組導通電阻決定。

●    小電流高電壓場景對開關組導通電阻要求低,效率高,解決方案優勢顯著。


幾種常見小尺寸電源架構的優缺點對比分析


架構A:Boost + NVCP(負壓電荷泵)


2.png

圖2 架構A


優點:


●    Boost架構相對簡單;

●    外圍僅需1L+6C。


缺點:


●    僅2路輸出,無AVDD;

●    不適用于高壓電池應用,連接充電器輸出不穩;

●    需要復雜的負壓電荷泵電路,11個開關管,外圍器件多;

●    正壓效率損失大;

●    不適用于對稱電壓。


架構B:Boost/Bypass + LDO + NVCP


3.png

圖3 架構B


優點:


●    Boost/Bypass架構AVDD不再受限于輸入電壓范圍;

●    配置相對靈活。


缺點:


●    對稱電壓應用,VIN高壓時效率低下;

●    非對稱電壓應用,正壓效率損失大;

●    不適用更高電壓電池、更低輸出電壓的應用;

●    需要-0.5×CP,12個開關管,外圍器件多;

●    外圍需要1L+10C。


SGM38042架構:SIMO(單電感多輸出)


4.png

圖4 SGM38042架構


優點:


●    專利電路,分時SIMO架構,電路框架簡單;

●    無需負壓電荷泵,僅需7個開關管;

●    正負電源紋波抑制,LDO損耗低;

●    輸入電壓范圍寬;

●    外圍僅需1L+6C。


缺點:


●    AVDD由VIN經LDO輸出,電壓范圍受限于VIN;

●    SIMO架構輸出正負壓,需要采用高耐壓器件來實現,效率提升困難。


SGM38046架構


5.png

圖5 SGM38046架構


優點:


●    AVDD不再受限于輸入電壓范圍;

●    適用于對稱電壓,效率相對較高;

●    適合高壓電池應用。


缺點:


●    Buck-Boost架構,需要Q1~Q4共4個大管;

●    外圍需要1L+9C。


ELVDD/ELVSS為什么要采用對稱電壓?


對稱電壓下AMOLED屏的功耗更低:


●    非對稱模式下ELVDD/ELVSS采用4.6V/-2.4V總壓差7V供電;

●    對稱模式下ELVDD/ELVSS采用3.3V/-3.3V總壓差6.6V供電;

●    單從工作電壓看,非對稱情況下7V比對稱電壓6.6V效率低6.06%。


對稱模式下電路架構更簡單,如下圖所示:


6.png

圖6 非對稱及對稱模式下電路示意圖


●    非對稱模式下負壓電荷泵需要7~8個MOSFET;

●    對稱模式下負壓電荷泵僅需要4個MOSFET。


對稱模式的電源拓撲架構比非對稱模式更省電,如下圖所示:


7.png

圖7 非對稱及對稱模式下電路架構


非對稱模式下:


●    ELVDD需由5.4V產生4.6V,損耗15%;

●    AVDD需由5.4V產生3.3V,損耗39%;

●    ELVSS需由-2.7V產生-2.4V,損耗11%。


對稱模式下:


●    ELVDD僅需由3.6V產生3.3V,損耗8.4%;

●    AVDD僅需由3.6V產生3.3V,損耗8.4%;

●    ELVSS僅需由-3.6V產生-3.3V,損耗8.4%。


兩相比較,對稱模式下各電源比非對稱模式下省電:


●    ELVDD省6.6%;

●    AVDD省30.6%;

●    ELVSS省2.6%。


補充說明:VDD-VSS不對稱電壓結構是從LCD采用的薄膜晶體管陣列(TFT Matrix)驅動沿襲過來的。演化的小尺寸TFT驅動結構是針對電源電壓范圍,TFT的開關特性,顯示單元驅動要求和既有設計繼承的設計綜合優化的結果。TFT設計以及盡力降低它和OLED工作電壓促成了可以采用對稱方式供電;目前受限制于ITO透明引線的特性,在大尺寸應用中尚不能采用對稱方式供電。


SGM38046是一顆以對稱電壓模式優化的小尺寸AMOLED電源芯片(同樣支持非對稱電壓模式工作,但在該模式下性能與其它芯片類似)。


SGM38046主要特性


●    輸入電壓:2.7V~5.5V;

●    AVDD輸出電壓:3.3V;

●    OVDD輸出電壓:2.8V~4.6V(默認輸出電壓:3.3V ± 1%,0.1V步進);

●    OVSS輸出電壓:-0.6V~-4.0V(默認輸出電壓:3.3V ± 1%,0.1V步進);

●    OVDD & OVSS組合輸出電流能力高達90mA;

●    優秀的線性和負載調整率;

●    低紋波和優秀的瞬態響應;

●    輸出負載與輸入分離;

●    欠壓鎖定、過流保護、短路保護、過壓保護和過溫保護功能;

●    輕載效率下節能(Power-Save)模式;

●    關斷電流:低于1μA;

●    WLCSP-2×2-16B綠色封裝。


SGM38046封裝及引腳分布


8.png

圖8 SGM38046封裝圖


SGM38046典型應用電路圖


9.png

圖9 SGM38046典型應用電路


SGM38046效率曲線


10.png

圖10 SGM38046效率曲線


相關產品信息


1634386435505697.png



免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯系小編進行處理。


推薦閱讀:


利用WiFi模塊進行遠程嵌入式開發

優化電源轉換器控制回路的三種方案

利用異步采樣速率轉換簡化數字數據接口

開關電源輸入端繼電器觸點短路失效分析

電源外圍設計之TVS以及輸出電容選型

特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

  • <center id="09kry"></center>

  • 主站蜘蛛池模板: 铜梁县| 武宣县| 清水河县| 鞍山市| 桐庐县| 米易县| 高雄县| 勃利县| 静海县| 宣武区| 漠河县| 上栗县| 利川市| 宾川县| 咸阳市| 都昌县| 广平县| 阳信县| 府谷县| 蒙城县| 北碚区| 榆中县| 滨海县| 恩施市| 阳山县| 武鸣县| 富宁县| 贵州省| 华坪县| 昌江| 房山区| 蓝田县| 陆良县| 桂阳县| 南宫市| 虎林市| 陵水| 调兵山市| 天门市| 湟中县| 义马市|