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xxWTxxFN系列:Vishay第五代肖特基二極管
日前,Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二極管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件將 D-Pak 的電流能力擴(kuò)展至高達(dá) 20 A,從而確定了業(yè)界的新標(biāo)準(zhǔn)。這些器件采用次微米溝槽技術(shù),適合用作高效率、高密度解決方案的獨(dú)立封裝,以及 D2-Pak 封裝的低...
2009-03-02
6CWT04FN 10WT10FN 20CWT10FN 20WT04FN 肖特基二極管
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Mouser獲Microchip公司“2008年度杰出銷售成就獎(jiǎng)”
近日,Mouser宣布榮獲Microchip科技2008杰出銷售成就獎(jiǎng),Microchip科技是全球領(lǐng)先的微控制器和模擬產(chǎn)品的制造商。
2009-02-27
2008杰出銷售成就獎(jiǎng) 微控制器 模擬產(chǎn)品 Mouser Microchip
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上網(wǎng)本逆勢(shì)擴(kuò)張 向高端化發(fā)展
如今的市場(chǎng)狀況對(duì)于各大PC廠商而言可謂挑戰(zhàn)重重,在面臨國際金融危機(jī)帶來的經(jīng)濟(jì)低迷、市場(chǎng)需求乏力的同時(shí),更要面臨原材料、人力成本的上漲帶來的雙重壓力。受經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響,在如今筆記本電腦市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力的時(shí)候,上網(wǎng)本(NetBook)成為筆記本市場(chǎng)上一道靚麗的風(fēng)景線。市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IDC公司預(yù)計(jì),200...
2009-02-26
上網(wǎng)本 金融危機(jī) IDC 華碩 海爾 惠普 PC
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STY112N65M5:ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V,有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)的“STW77N65M5”。 此前,太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT,但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低,因此MOSFET正逐漸取代IG...
2009-02-25
MOSFET 太陽能電池 功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5
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意法半導(dǎo)體將集中精力增現(xiàn)金流
2009年,意法半導(dǎo)體將繼續(xù)集中精力增長(zhǎng)現(xiàn)金流,保持強(qiáng)大而靈活的資本結(jié)構(gòu)
2009-02-25
意法半導(dǎo)體 資金
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大眾攜手東芝開發(fā)電動(dòng)車
近日,德國大眾汽車與日本東芝公司就合作開發(fā)電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)達(dá)成一致。 東芝公司表示,該公司已與大眾在德國簽署合作備忘錄,共同開發(fā)電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)和附屬電子部件,雙方還有意合作開發(fā)新一代電動(dòng)車用高能源密度電池。
2009-02-25
電動(dòng)汽車 東芝 大眾 三洋 鋰電池
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HV8 :Freescale新一代LDMOS射頻功率晶體管
飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出其下一代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)射頻功率晶體管,以滿足蜂窩發(fā)射器降低功耗的迫切需求。
2009-02-24
Freescale 射頻 晶體管
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安徽首個(gè)非晶硅太陽能光伏發(fā)電示范工程年內(nèi)運(yùn)營
據(jù)報(bào)道,2月12日,安徽省首個(gè)非晶硅太陽能光伏發(fā)電示范工程項(xiàng)目建設(shè)條件已全部得到落實(shí),將于年內(nèi)在蚌埠市竣工運(yùn)營。根據(jù)設(shè)計(jì),該工程投資131.5萬元,發(fā)電總?cè)萘繛?兆瓦.
2009-02-23
非晶硅太陽能 光伏電站
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東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達(dá)36%
面向新一代照明用LED,東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高,達(dá)到了36%。發(fā)光波長(zhǎng)為380nm。為了提高發(fā)光效率,抑制了GaN結(jié)晶的缺陷,提高了平坦性。
2009-02-23
近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶
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