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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-10-22
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碳化硅肖特基二極管的設計與優化
碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導率等優良的材料特性，在中高壓功率半導體器件制造中得到了廣泛的應用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經成功地應用于電力領域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結構。后來，這種結構演變成一種結勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結構被稱為合并PN肖特基（MPS），表現出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業設備逆變器的絕佳CP：智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進的功率開關器件，適應了當今功率器件的發展方向—模塊化、復合化和集成化(PIC)，在電力電子領域得到了越來越廣泛的應用。
2020-09-09
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致工程師系列之五：優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計
現代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰，在某些情況下幾乎不可能實現。隔離探測技術的出現改變了這種局面，通過這一技術，設計人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅動器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大？在電力電子上又有哪些應用？
據預測，采用 SiC 的功率模塊將進入諸如可再生能源、UPS 電源、驅動器和汽車等應用。風電和牽引應用可能會隨之而來。 到 2021 年，SiC 功率器件市場總額預計將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場，如太陽能，SiC 器件已投入運行，盡管事實上這些模塊的價格仍然比常規硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力，即使價格更高也心甘情愿地被接受？
2020-07-30
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管，應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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如何正確使用功率器件以滿足工業電源要求
在工業應用中，AC/DC 電源轉換（也稱為“離線式”電源轉換）與消費類和大眾市場設計迥然不同。通常，工業應用的電壓、電流和功率水平相對更高，對熱應力和電應力的穩健性有額外要求，對活動和待機模式有嚴格的監管規定，還必須監控當前工作狀態以形成反饋回路并進行故障檢測。
2020-06-10
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固態繼電器和固態調壓器的區別
固態繼電器是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無觸點開關。用隔離器件實現了控制端與負載端的隔離。固態繼電器的輸入端用微小的控制信號，達到直接驅動大電流負載。
2020-06-09
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效率媲美氮化鎵的超級硅MOSFET
半導體功率器件在電力電子行業有著非常廣泛的應用，特別是近幾年來，隨著社會電子產業化及萬物互聯的應用需求，更進一步加速了電子化水平的進程；也對電力電子系統提出了更高的要求和挑戰，如：高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長壽命等方面。
2020-04-23
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射頻大功率器件TRL校準件的設計與制作
以LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）為代表的射頻大功率器件已經在民用通信市場以其優異的性能和低廉的價格而得到越來越廣泛的應用，對于這種射頻大功率器件的器件水平和能力評估也越來越受到關注。
2020-04-20
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致工程師系列之二：功率器件的標定及選擇
對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準確把握？是否真正在自己的電源設計中發揮最大的作用，缺少一種簡單經濟的評價方法。對于電源產品設計，大功率開關管的選擇是非常關鍵也是非常困難的。
2020-03-10
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