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技術進步帶動MEMS與傳感器價格滑落
據Digitimes Research,制程技術漸趨成熟帶動微機電系統與傳感器終端價格迅速滑落，應用在汽車、工業、軍事用途、消費性電子領域，凡智能手機、平板裝置、聯網電視等熱門消費電子產品，均將導入設計并采用，預期4大終端應用市場將成為拉動需求的主要動能。
2010-12-31
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S-TouchFingerTip：意法半導體推出無限同步觸控的多點觸控技術
下一代智能型手機不太可能變得更小，但會變得更輕薄、更智慧。針對這一市場發展趨勢，全球領先的手機和消費性電子芯片供貨商意法半導體發表新款單芯片寬屏幕電容式觸控面板控制器。
2010-12-29
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IR擴大40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 系列適用于重載應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。
2010-12-22
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泰科電子觸控解決方案部領導團隊變更
泰科電子近日宣布其觸控解決方案部門的領導團隊變化。James O’Toole被任命為泰科電子副總裁及觸控解決方案部門的總經理，并立即生效。Mark Mendenhall成功建立Elo TouchSystems品牌后，離開Elo TouchSystems從事其他工作，此后 Elo TouchSystems事業部和Sensitive Object全權由James負責。
2010-12-20
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HARTING釋放PROFINET潛力,推出創新自動化IT
今年在紐倫堡舉行的SPS/IPS/DRIVES上，HARTING技術集團將自動化信息技術提高到了一個新水平。HARTING的連接鐵三角，即自動化IT，設備連接及安裝技術部件，正代表著工業自動化的高水平創新方案。
2010-12-17
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IR推出30V DirectFET MOSFET適合19V輸入同步降壓應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。
2010-12-17
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RDK-251：PI推出5 W離線式LED驅動器電源設計適合A19 LED燈
用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司近日發布一份新的5 W離線式LED驅動器參考設計(RDK-251)，該電源具備無閃爍可控硅調光和單級功率因數校正(PFC)。該參考設計基于Power Integrations創新性的LinkSwitch-PL系列LED驅動器IC - LNK457DG，可實現緊湊型非隔離式電源。
2010-12-17
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本土廠商合力稱霸非智能手機市場
DIGITIMES Research資深分析師兼經理黃建智分析， 2010年全球非智能手機出貨量為11.73億支，諾基亞以29.4%市占率居單一業者之首；不過，中國大陸業者整體出貨成長達27.4%，合并市占達34.2%，超越諾基亞成為市占率最大者。
2010-12-17
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全球觸控面板產業發展趨勢分析
平面顯示技術論壇首場，由DIGITIMES 研究中心分析師楊仁杰先生主講。他指出從2008年日商尚掌握觸控面板優勢，隨后漸失價格競爭力，觸控面板供應鏈整個流向臺商以及國內大陸的臺資陸廠，國內大陸的廠商則以供應山寨低階產品為主。在電阻式觸控面板部分，低階產品臺商淡出，高階產品則臺廠出貨量超越日商。薄膜式投射電容觸控面板則因制程相近且門坎不高，兩岸廠商皆朝此方向邁進。
2010-12-17
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2011年全球高亮度LED市場規模將增長五成
繼LED背光TV后，LED照明將成為帶動LED產業高度成長的應用產品。根據DIGITIMES Research最新統計,LED照明使用顆數由2010年48億顆,將增至2011年124億顆，主因為2011年LED燈泡取代傳統白熾燈效應開始顯現...
2010-12-17
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五大展區打造全產業鏈盛會
——Green Lighting China 2011受LED企業熱捧日前，從勵展博覽集團傳出最新消息，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（以下簡稱CSA）與該集團共同主辦“Green Lighting China 2011”（2011年5月11-13日，上海國際展覽中心）總體規劃已經全部完成。據悉，以“打造中國LED照明行業全產業鏈、高附加值展會”為目的展會共規劃了五大專區，覆蓋了LED照明行業的各個領域。
2010-12-17
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東芝使用應變硅技術將納米線晶體管驅動力提高58%
東芝證實，通過在納米線晶體管中使用應變硅（Si）技術，可將納米線晶體管的驅動力提高58％。該成果已在“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”（2010年12月6～8日，美國舊金山）上發布。
2010-12-16
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