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功率器件供應緊張問題下半年有望緩解
在漲聲一片中，功率器件市場送走了2010年，即使英飛凌、三菱電機、IR、飛兆和瑞薩等企業產能全開，仍未緩解2009年延續至2010年的功率器件荒。作為“十二五”的開局年的2011年，功率器件供應狀況依然緊張。“十二五”規劃中指出大力發展七大戰略新興產業，其中三項，即新能源 、新能源汽車、節能減排，都是以功率半導體器件為關鍵組件。
2011-04-27
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硅基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任
對此，Veeco的化合物半導體業務執行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵，并商品化這項技術用于大批量制造氮化鎵功率器件，我們認為是巨大的戰略研發上的勝利。”
2011-03-30
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數控直流穩壓電源設計
隨著新型電力電子器件和適于更高開關頻率的電路拓撲的不斷出現，傳統應用技術，由于功率器件性能的限制使開關電源性能的影響減至最小，新型的電源電路拓撲和新型的控制技術，可使功率開關工作在零電壓或零電流狀態。本文將和你一起探討數控直流穩壓電源的設計...
2011-03-30
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無傳感器洗衣機電機驅動設計
用于風機、水泵、空調、冰箱、洗衣機、電梯和傳輸等應用領域的電動機消耗著全球半數以上的電能，其中大多采用僅能簡單開啟和關斷電機的高能耗機電驅動裝置。僅在家電應用中以變頻解決方案替代這些低效率電機就可以削減多達60%的能源消耗。大部分家電采用通用直流電機或單相交流感應電機，其速度控制方法相當粗略，要么采用開斷控制，要么依靠可控硅控制導通相角，其典型系統效率最高也就能達到50%左右。不過，隨著高效功率器件和先進數字控制器的問世，將更具效率的電機和控制技術應用于最新家電已經成為可能。
2011-03-10
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IGBT 在不間斷電源（UPS）中的應用
在UPS 中使用的功率器件中IGBT 成為UPS 功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮IGBT 的優點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。
2011-03-01
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飛兆半導體：先準確定位需求然后才能正確擴大產能
現階段，功率器件出現供不應求的緊張態勢持續已久，二季度后，傳統功率器件市場的旺季將加劇缺貨情況。未來市場供需會有哪些變化？哪些市場將會是功率器件市場的藍海？面對本土功率器件廠商的崛起，功率器件大廠將如何應對？針對上述問題，電子元件技術網采訪了飛兆半導體技術行銷部首席經理張三嶺...
2011-03-01
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智能功率器件
本文以英飛凌公司的智能PROFETBTS5020-2EKA_DS20為例，詳細解釋了燈泡在沖擊電流的物理模型，進而給出了如何在設計中計算沖擊電流下驗證器件的安全。
2011-02-28
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小電流可控硅固體開關的研制
本文通過脈沖變壓器隔離控制28個串聯可控硅（TYNl225），得到了20kV小電流開關，對固體開關的串聯技術進行了試驗研究，并討論了串聯電路所涉及到的觸發信號的高壓隔離技術、驅動信號同步技術以及功率器件的動態靜態均壓技術。
2011-01-25
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2011年LED照明市場與技術概覽
電子元件技術網揭示LED市場熱點，發布有關技術和市場的獨到的見解，分析新的一年中市場和產品趨勢。本期半月談將聚焦于與LED照明相關的功率器件、驅動IC、電源模塊、熱管理技術、連接器和電路保護器件，以及與他們相關的新的市場機遇。
2011-01-17
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NEULAND項目將開發能耗減半的新型半導體材料
——主要面向可再生能源、電信和照明系統為此，德國半導體和太陽能行業的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯邦教育與研究部（BMBF）資助，旨在開辟可再生能源電力高效利用的新途徑。NEULAND代表具備高能效和成本效益、基于寬帶隙化合物半導體的創新功率器件。該項目旨在系統成本不大幅提高的前提下，將可再生能源電力并網損耗降低50%，例如光伏逆變器。這將有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）的創新半導體器件實現。
2011-01-05
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Z-Rec?650V：Cree推出碳化硅肖特基二極管滿足數據中心電源系統要求
碳化硅功率器件領域的市場領先者 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec?650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數據中心電源架構修改的要求。據行業咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達 5% 。由于數據中心的耗電量幾乎占全球年耗電量的 10%，任何水平的能效提升都會有助于大幅降低總體能耗。
2010-12-21
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新型材料的電力電子器件：碳化硅功率器件
碳化硅是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，在電力電子方面也是很重要的，可制作出性能更加優異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SIC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車等設備的節能具有重要意義。采用SIC的新器件將在今后5～10年內出現，并將對半導體材料產生革命性的影響。
2010-12-16
- 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議
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