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一種新型的IGBT短路保護電路的設計
本文提出了一種直接檢測IGBT發生短路故障的方法，在詳細分析IGBT短路檢測原理的基礎上給出了相應的IGBT短路保護電路。仿真及實驗結果均證明該電路工作穩定可靠,能很好地對IGBT實施有效的保護。
2008-11-02
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面向汽車應用的IGBT功率模塊淺談
由于汽車環境的復雜多變，應用于EV和HEV的IGBT要經受得住更多的考驗。在功率循環、熱循環、機械振動或機械沖擊等多種試驗中，IGBT模塊會出現一些典型的故障模式。廠家針對這種問題研發出了具有優化性能和成本的功率半導體模塊。
2008-11-02
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中頻電阻焊機電源的IGBT保護方法
中頻直流逆變電阻焊接電源作為一種新型的控制電源，以其顯著的高質低耗的特點成為電阻焊電源的發展方向。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點。本文從實際應用出發，總結了過壓、過流與過熱保護的相關問題和各種保護方法，適用性強、應用效果好。
2008-10-25
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IGBT技術——半導體技術與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導體技術之間的區別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術所帶來的性能提升。
2008-10-23
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IGBT集成驅動模塊的研究
本文主要研究IGBT集成驅動模塊，首先闡述了IGBT驅動保護電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結構和典型應用，最后結合IR、UC37系列驅動器進行比較得出結論。
2008-10-17
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IGBT 在不間斷電源中的應用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態電流大的優點、使用IGBT 成為UPS 功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮IGBT 的優點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。
2008-10-16
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IGCT門極驅動電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應用領域，占主導地位的功率半導體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統的功率器件在實用方面都存在一些缺陷。ABB半導體公司率先提出了一種新型功率半導體器件—IGCT。它的關鍵思想是將改進結構的GTO與反并聯二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對IGCT門極驅動電路的結構和原理進行了介紹和分析。
2008-10-14
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IGBT驅動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現的一種復合全控型電壓驅動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優點集于一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關斷電壓，能更可靠關斷，同時具有封閉性軟關斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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SPWM全橋逆變器輸出變壓器直流偏磁的抑制
分析了SPWM開關型變換器中輸出變壓器產生直流偏磁的機理。提出了一種基于電壓電流反饋控制技術抑制正弦波逆變器偏磁的方法，并提供了較為實用的拓撲電路，同時分析了它的工作機理。該電路的有效性在介質阻擋強電離放電用IGBT全橋逆變電源中得到了驗證。
2008-10-07
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用于有源電力濾波器的IGBT驅動及保護研究
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。
2008-10-02
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用于功率變換器的IGBT驅動核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅動電路必須能夠完成門極驅動和模塊保護功能。它們還必須能為控制部分和功率半導體之間提供電氣隔離，并滿足多種不同型號IGBT的驅動要求。為了滿足上述要求，必須對現有的門極驅動電路進行優化。具體地說，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性價比之間尋求最優平衡，所幸的是，在新的門極驅動電路SKYPER中我們做到了這一點。
2008-10-01
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等離子體荷電噴霧逆變電源的研究
本文依據等離子體荷電噴霧的特點，以IGBT為核心器件，設計了脈寬調制型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過流保護回路。試驗結果表明：在噴霧中使用等離子體技術，不僅噴霧的特性達到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數量。
2008-09-30
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