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SiC MOSFET FIT率和柵極氧化物可靠性的關系
除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力，例如，短路能力或脈沖電流處理能力。可靠性指器件在目標壽命內額定工作條件下的穩定性。與可靠性相關的現象包括某些電氣參數的漂移或毀壞性的故障。對于硬故障，通常以FIT率的形式進行量化。FIT率說明了某一類型的設備在一定時期內預期有多少次故障。目前，宇宙射線效應主要制約著大功率硅器件的FIT率。
2022-07-13
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超寬壓鐵路電源方案的分析與對比
全球主流鐵路系統呈現多電壓供電，導致電源模塊無法歸一化實現掉電保持功能，增加了客戶應用系統的設計難度和管理成本。為兼容超寬全電壓輸入范圍和電容歸一化，金升陽利用自主IC的優勢發明了一種主動式掉電保持電路。本文通過分析市面上幾種常見鐵路電源方案的優缺點，對超寬壓鐵路電源方案進行對比與總結。
2022-07-13
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仿真看世界之SiC單管并聯中的寄生導通問題
這篇微信文章，其實構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發布了兩篇基礎篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯中的寄生導通問題。
2022-07-12
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25kW SiC直流快充設計指南(第八部分完結篇)：熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。在這一章，我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性，同時防止系統過早失效的。
2022-07-11
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貿澤榮獲Vishay頒發的三項年度分銷商大獎
2022年7月8日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 非常榮幸地宣布同時獲得知名電子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.頒發的三項大獎。這三個獎項分別為2021年度美洲優質服務分銷商、2021年度美洲優質服務半導體分銷商和2021年度EMEA優質服務分銷商。
2022-07-08
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構建高效通信連接，貿澤將攜手Molex舉辦汽車天線解決方案在線研討會
2022年7月7日 – 專注于引入新品推動行業創新?的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Molex于7月12日14:00-15:00舉辦主題為“車輪上的數據中心－Molex天線解決方案”的直播研討會。屆時，來自Molex的技術專家將為觀眾分享應用于汽車上的不同類型的天線方案，幫助工程師面對不同場景時，能夠快速設計出高效的汽車通信產品。
2022-07-07
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25kW SiC直流快充設計指南(第七部分)：800V EV充電系統的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25kW EV快充系統，包括這個可擴展系統的整體架構和規格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設計和控制策略。我們基本已經把電路設計部分講完了，除了輔助電源設計的相關內容。
2022-07-07
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安森美的VE-TracTM SiC系列為電動車主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優勢
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展，半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來，如在關鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發揮它的優勢，但面臨成本、封裝及技術成熟度等多方面挑戰。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案，在SiC領域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用穩定可靠的平面SiC技術，結合燒結技術和壓鑄模封裝，幫助設計人員解決上述挑戰，配合公司其他先進的智能功率電源半導體，加快市場采用電動車，助力未來的交通邁向可持續發展。
2022-07-07
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貿澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎
2022年7月6日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發的2021年度目錄分銷商獎。RECOM Power Inc.是一家專門生產AC/DC和DC/DC轉換器及開關穩壓器的電源制造商。在頒獎典禮上，RECOM表彰了貿澤在新產品引入和全球客戶增長方面的卓越表現。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？
2022-07-06
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仿真看世界之SiC單管的開關特性
如下圖1是今年英飛凌新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45m?的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB后，其管腳到器件內部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數如下圖所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測到的信號，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內部芯片的信號，芯片Q1內包含寄生電阻Rgint=4?。
2022-07-06
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。
2022-07-05
- 貿澤與Cinch聯手發布全新電子書深入探討惡劣環境中的連接應用
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