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更多SiC FET選項意味著能更靈活地選擇劃算的解決方案
在設計功率轉換器的過程中需要權衡大量參數。UnitedSiC通過自己的FET-JET計算器和多種零件讓評估變得簡單易行。
2022-03-19
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打破陳規——將SiC FET作為斷路器
由于低損耗和低于其他選擇的成本，機械斷路器一直以來都是成功之選。但是現在，寬帶隙半導體讓固態斷路器更具吸引力。
2022-03-19
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貿澤與Molex攜手推出全新電子書，介紹醫療設備創新設計
2022年3月18日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex攜手推出全新電子書《Improving Lives with Digital Healthcare》（通過數字醫療改善生活），探索連接與醫療設備設計交叉領域的創新解決方案和應用。本書中，來自Molex和貿澤的行業專家通過多篇深度好文，探討了新一代的數字醫療解決方案，包括機器人手術、醫療可穿戴設備、腦機接口，以及采用沉浸式技術的醫療培訓。
2022-03-18
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ADI公司啟動ADI Catalyst項目并向歐洲業務投資1億歐元
中國，北京 – 2022年3月10日 – 全球領先的高性能半導體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布將在未來三年內向ADI Catalyst創新合作加速器投資1億歐元。ADI Catalyst位于愛爾蘭利默里克Raheen商業園區，占地10萬平方英尺。到2025年，該投資將為愛爾蘭市場新增250個工作崗位，這也體現了ADI在歐洲持續投入的承諾。
2022-03-16
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使用最新的SiC FET技術提升車載充電器性能
碳化硅FET已經在車載充電器（OBC）電路領域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應用。我們調查了這些封裝選項的相對熱性能，并證實了TO247-4L和D2PAK-7L選項可用于6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來，為了實現“碳中和”等減輕環境負荷的目標，需要進一步普及下一代電動汽車（xEV），從而推動了更高效、更小型、更輕量的電動系統的開發。尤其是在電動汽車（EV）領域，為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸，提高發揮驅動核心作用的電控系統的效率已成為一個重要課題。SiC（碳化硅）作為新一代寬禁帶半導體材料，具備高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨特優勢。因此，業內對碳化硅功率元器件在電動汽車上的應用寄予厚望。
2022-03-14
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見的，無論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產品，電源是電池供電，如單雙節鋰電、三節鋰電或鉛酸電池12V。通過DC-DC升壓電路，升壓后給其他電路供電。
2022-03-14
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貿澤電子配送中心配備超大規模垂直升降機模塊
2022年3月9日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 持續加投其全球配送中心的先進自動化設備，進一步提升訂單處理能力、準確性和速度，幫助客戶進一步縮短產品上市時間。
2022-03-11
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貿澤2022 Empowering Innovation Together計劃起航推出關于RISC-V的新播客
2022年3月11日 – 貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together?（共求創新）計劃的2022系列專題。今年的系列總共有六期，每一期重點討論一項在主要行業轉型中發揮關鍵作用的前沿技術。2022系列將提供各種及時而有見地的內容，如播客、視頻、文章、博客和信息圖，重點關注私人5G網絡、自主移動機器人等技術趨勢。
2022-03-11
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個主觀術語，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉換界，它歸結為兩個相互依賴的主要值，即效率和成本。現在，作為半導體開關材料，硅在導電和動態損耗性能方面已經到達了極限，這已經是一個常識了，因此越來越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術來實現更好的性能。這兩種材料具有更好的介質擊穿特性，從而可以打造更薄、摻雜更重、導通電阻更低的阻擋層，同時，更小的晶粒體積還可降低器件電容，從而降低動態損耗。
2022-03-10
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如何使用LTspice對復雜電路的統計容差分析進行建模
LTspice?可用于對復雜電路進行統計容差分析。本文介紹在LTspice中使用蒙特卡羅和高斯分布進行容差分析和最差情況分析的方法。為了證實該方法的有效性，我們在LTspice中對電壓調節示例電路進行建模，通過內部基準電壓和反饋電阻演示蒙特卡羅和高斯分布技術。然后，將得出的仿真結果與最差情況分析仿真結果進行比較。其中包括4個附錄。附錄A提供了有關微調基準電壓源分布的見解。附錄B提供了LTspice中的高斯分布分析。附錄C提供了LTspice定義的蒙特卡羅分布的圖形視圖。附錄D提供關于編輯LTspice原理圖和提取仿真數據的說明。
2022-03-09
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圖騰柱PFC在SiC FET的輔助下日漸成熟
在寬帶隙半導體的輔助下，圖騰柱功率因數校正技術日漸成熟，與損耗很低的SiC FET搭配使用后，發揮了全部潛力。
2022-03-07
- 貿澤與Cinch聯手發布全新電子書深入探討惡劣環境中的連接應用
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