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干貨

寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。在計算中我們要考慮進去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。

功率開關寄生電容用于磁芯去磁檢測

在工作于自激振蕩模式的SMPS中，需要檢測磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測的最新技術基于對與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對磁芯實際去磁后出現(xiàn)的零電壓進行檢測(ZCD)。在準諧振工作中，重新啟動新一輪導通周期的最佳時機位于功率MOSFET漏極電壓的"谷點"處。詳細閱讀>>

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。詳細閱讀>>

漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

從20nm技術節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。詳細閱讀>>

寄生電容對串聯(lián)諧振電容器充電電源特性的影響

本文研究了理想串聯(lián)諧振電容器充電電源的電流特性和實際串聯(lián)諧振電容器充電電源的電流特性，分析了充電系統(tǒng)中高壓變壓器和高壓整流二極管的寄生參數(shù)的影響，采用等值電路來描述變壓器和二極管中復雜的寄生電容，并且可以通過試驗來測得，指出由于變壓器和二極管寄生電容的存在，使所設計的高壓串聯(lián)諧振充電電源變成了一個高壓串并聯(lián)諧振充電電源，其充電電流并不恒定。詳細閱讀>>

電容傳感器寄生電容干擾的產生原因及消除方法

電容式傳感器具有結構簡單，靈敏度高，溫度穩(wěn)定性好，適應性強，動態(tài)性能好等一系列優(yōu)點，目前在檢測技術中不僅廣泛應用于位移、振動、角度、加速度等機械量的測量，還可用于液位、壓力、成份含量等熱工方面的測量中。但由于電容式傳感器的初始電容量很小，一般在皮法級，而連接傳感器與電子線路的引電纜電容、電子線路的雜散電容以及傳感器內極板與周圍導體構成的電容等所形成的寄生電容卻較大，不僅降低了傳感器的靈敏度，而且這些電容是隨機變化的，使得儀器工作很不穩(wěn)定，從而影響測量精度...詳細閱讀>>

一文讀懂：寄生電容

X9C102,X9C103,X9C104是美國Xicor公司的高精度數(shù)字電位器，電位器的阻值和型號的后綴數(shù)字相同，分別是1k(102), 10k(103),100k(104)等。詳細閱讀>>

經典案例

如何妙用二極管減少信號線上的寄生電容

二極管以其單向導電特性，在整流開關方面發(fā)揮著重要的作用；其在反向擊穿狀態(tài)下，在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結電容，能夠有效地減少信號線上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個運用。詳細閱讀>>

寄生電容耦合到電源：如何避免傳導EMI問題

電磁干擾EMI中電子設備產生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸，互相產生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導干擾？這里，我們先著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況。詳細閱讀>>

MOSFET的寄生電容是如何影響其開關速度的？

我們應該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時，漏源之間也有一個寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時，MOSFET 的等效電路就成了圖 2 的樣子了。詳細閱讀>>

實際上,由于頻率的不斷提高,致使引線寄生電感、寄生電容的影響愈加嚴重,對器件造成更大的電應力(表現(xiàn)為過電壓、過電流毛刺)。為了提高系統(tǒng)的可靠性,有些制造商開發(fā)了"用戶專用"功率模塊(ASPM),它把一臺整機的幾乎所有硬件都以芯片的形式安裝到一個模塊中,使元器件之間不再有傳統(tǒng)的引線連接,這樣的模塊經過嚴格、合理的熱、電、機械方面的設計,達到優(yōu)化完美的境地。