可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有 耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。
可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。
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干貨
晶閘管（thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第一個晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為"v"、"vt"表示
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脈沖功率技術(shù)是一種能量密度"壓縮"技術(shù),它通過開關(guān)的瞬時導(dǎo)通把較長時間內(nèi)儲存的能量在很短的時間(μs或ns量級)內(nèi)釋放出來,形成幅度達(dá)數(shù)十kA甚至數(shù)百kA的強(qiáng)電流脈沖。詳細(xì)閱讀>>
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雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。詳細(xì)閱讀>>
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晶閘管的過壓保護(hù)設(shè)備是基于一對雙極性晶體管，這一對雙極性晶體管是由四層不同摻雜的N，P極組成，如圖1所示。N型摻雜的N1，P型摻雜的P1，和N型摻雜的N2分別構(gòu)成NPN晶體管的發(fā)射極，基極和收集極，而P型摻雜的P2，N型摻雜的N2，和P型摻雜的P1分別構(gòu)成了PNP晶體管的發(fā)射極，基極，和收集極。詳細(xì)閱讀>>
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盡管功率場效應(yīng)VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導(dǎo)體元器件層出不窮,且在電力電子技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要位置,晶閘管(可控硅) 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性,仍有著穩(wěn)固的陣地,受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執(zhí)行等多個環(huán)節(jié)的情況下,將單結(jié)晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運(yùn)算放大器,就可實(shí)現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流及短路保護(hù),簡化了電路結(jié)構(gòu)...詳細(xì)閱讀>>
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無功補(bǔ)償是電力系統(tǒng)運(yùn)行的基本要求。為了在電力系統(tǒng)運(yùn)行中進(jìn)行無功平衡，必須對各種電力負(fù)荷所需的無功功率進(jìn)行補(bǔ)償。無功補(bǔ)償?shù)姆椒ㄓ姓{(diào)相機(jī)補(bǔ)償和電容器組補(bǔ)償?shù)龋渲凶顬橛行Ш鸵子趯?shí)施的是在靠近負(fù)荷點(diǎn)的地方進(jìn)行就地?zé)o功補(bǔ)償。由于無功補(bǔ)償掛接在電網(wǎng)上主要是通過自動投入和切除電力電容器來達(dá)到補(bǔ)償效果，因此，控制電容器投切的開關(guān)元件性能對整個裝置的質(zhì)量和穩(wěn)定性起著非常關(guān)鍵的作用。目前，國內(nèi)的無功補(bǔ)償產(chǎn)品...詳細(xì)閱讀>>
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本文將驅(qū)動電路及SITH器件一起擴(kuò)展成實(shí)際的開關(guān)電源應(yīng)用電路，經(jīng)測試，得到了比較先進(jìn)的性能指標(biāo)。這樣，對SITH器件的應(yīng)用研究就更加全面，使得對它的推廣應(yīng)用打下扎實(shí)的基礎(chǔ)。詳細(xì)閱讀>>
經(jīng)典案例
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電氣化鐵路（ 以下簡稱電鐵）的諧波問題是一個關(guān)系到公用電網(wǎng)電能質(zhì)量和電鐵順利建設(shè)的重大問題, 我國從80 年代處就開始致力研究、解決這一問題。串聯(lián)補(bǔ)償裝置可以在一定程度上解決這一問題, 而且由于其技術(shù)難度低、投資小、易于實(shí)現(xiàn), 因而在單線電鐵的復(fù)線改造工程中顯示出了極大的優(yōu)越性。詳細(xì)閱讀>>
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隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，晶閘管軟起動裝置應(yīng)運(yùn)而生。三相異步電動機(jī)的起停技術(shù)發(fā)生了劃時代的變化。晶閘管軟起動產(chǎn)品問世不過30年左右的時間，而其主要性能卻大大優(yōu)于磁控軟起動、液阻軟起動等傳統(tǒng)軟起動方式。它的體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，幾乎免維護(hù)，功能齊全，起動重復(fù)性好，保護(hù)周全，目前已成為軟起動領(lǐng)域中的佼佼者。詳細(xì)閱讀>>
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晶閘管自1957年問世以來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展，使其在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用。但是，過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中，由分立器件組成的電路復(fù)雜、體積大，安裝調(diào)試麻煩，可靠性也較差。晶閘管智能模塊ITPM的出現(xiàn)，從根本上解決了上述難題...詳細(xì)閱讀>>
晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。
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