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使用大面積分析提升半導體制造的良率
設計規則檢查 (DRC) 技術用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設計規則通常根據所使用設備和工藝技術的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會導致芯片故障或DRC違規。常見的DRC規則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規格，以避免在制造過程中出現短路、斷路、...
2024-03-05
半導體制造 芯片
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你準備好迎接新興汽車雷達衛星架構了嗎？
隨著全球新車安全評鑒協會的安全等級和法規對主動安全功能的要求日益嚴格，安全性已成為當今車輛的一項不可或缺的特性。全球汽車制造商不斷增強其車輛內的高級駕駛輔助系統 (ADAS) 功能（包括自動緊急制動 (AEB)、自適應巡航控制 (ACC) 和高級車道居中），從而滿足這些安全要求并致力于實現更高水平...
2024-03-05
汽車雷達 衛星架構
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SEMICON專題直播預告|一起聊聊半導體測試
2024年3月20日，全球最大規模半導體嘉年華——SEMICON China 2024將在上海新國際博覽中心盛大啟幕，作為半導體測試領域的領軍企業，加速科技即將重裝亮相此次盛會（N2館N2327）。
2024-03-05
SEMICON
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如何幫助提高混合動力汽車/電動汽車電池斷開系統的安全性和效率
對于混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV)，電池管理系統 (BMS) 中的配電系統可為車輛的核心功能供電，還可提供安全斷開高電壓或高電流事件的機制。隨著對更高電壓、電流、效率和可靠性的需求持續增長，配電系統的兩個核心組件（高壓繼電器和斷開保險絲）面臨越來越多的設計挑戰。圖 1 展示了高壓繼...
2024-03-04
電爆驅動器 接觸器 汽車 電動汽車 電池
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大算力時代, 如何打破內存墻
近年來，人工智能應用正經歷一輪快速的發展與普及，而以ChatGPT等先進的大模型技術在此過程中起到了關鍵作用。這些模型對計算能力的需求不斷攀升，催生了AI芯片設計的不斷革新，進入了大算力時代。
2024-03-04
大算力 內存
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效應
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CITE2024開展倒計時 等你來看大模型、芯片、機器人、智能駕駛……
近年來，國家陸續出臺多項鼓勵人工智能產業發展創新的相關政策，著重于系統性拓展人工智能的應用場景，引導行業經濟高質量發展，包括統籌推進場景創新，加快信息基礎設施建設，以及推動大數據、人工智能、信息化和智能制造等領域的深度融合，探索人工智能發展新模式新路徑。隨著生成式人工智能的迅...
2024-03-04
大模型 芯片 機器人 智能駕駛
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