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如何優化SiC柵級驅動電路？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有...
2023-11-29
SiC 柵級驅動
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振動場合的電源模塊該如何選型？
在不同的應用環境，該如何進行電源模塊的應用選型？選擇合適電源模塊可以延長模塊的使用壽命，本文主要是介紹在振動場合電源模塊可能出現的一些失效形態和如何選用可靠的電源模塊。
2023-11-29
振動場合 電源模塊 選型
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機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法
本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案，并對比傳統的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議，并作了機械規格和可靠性分析。
2023-11-29
機電 1-Wire 接觸封裝
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有關Matter的十個關鍵問題，你知道正確的答案嗎？
智能家居市場正在快速增長，越來越多的家庭采用聯網設備來實現家庭自動化。然而，由于這些聯網設備通常運行在不同的通信協議上，極大地阻礙了智能家居系統內的互聯互通，市場上幾乎沒有一家公司的產品能滿足所有智能家居市場的需求。 新興的Matter智能家居協議就是為了解決這一挑戰而創建的。它...
2023-11-28
Matter 智能家居
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如何在 3DICC 中基于虛擬原型實現多芯片架構探索
在系統定義和規劃時，虛擬原型可以用來分析架構設計決策可能產生的影響，將系統的功能性和非功能性要求轉化為系統的物理硬件屬性，包括裸片的目標工藝、面積大小以及不同組成芯片的組裝要求等。根據不同的解決方案，選擇不同的chiplets和堆疊架構，進行早期的分析驅動的架構探索和優化迭代，包括電...
2023-11-28
3DICC 虛擬原型 多芯片架構
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漫談QLC其一：QLC定義及應用
目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結構上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實現閃存容量的提升，并隨著堆疊層數的增加優化成本，繼而適應市場需求；其二是邏輯上，提升存儲單元存儲的位數，即由僅能存儲1位數據的SLC，到存儲2位數據的MLC，直到如今能存儲4位數據的QLC，通過這種方式，提...
2023-11-28
QLC 閃存
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通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計算的前沿
近些年來，人工智能（AI）的蓬勃發展推動了芯片組技術的新進步。與傳統 CPU 相比，現在的芯片組功能更強大，運行更高效，但功率消耗也更高。功率消耗的急劇攀升為系統設計人員帶來了難題，他們正在努力設計既能在更小的空間內提供更大功率，又能保證效率和可靠性的電源。
2023-11-28
碳化硅 TOLL 封裝 人工智能計算
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