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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一...
2023-04-24
SiC MOSFET 短溝道效應
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優化現代設計。
2023-04-24
超共源共柵 SiC FET Qorvo
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Auto Accessories以及BMS的保護設計
隨著汽車功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應用。由于以下幾點，ESD、突入電流、拋負載以及負載短路等成為了硬件設計人員關注要點。例如，干燥季節，靜電通過這些接口破壞IC或設備中的任何其他ESD敏感器件；設備電源的開關，汽車啟停以及人員的誤操作等產生的突入電流對電...
2023-04-24
Auto Accessories BMS 保護設計
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5月兩場汽車電子高峰論壇來襲 賦能汽車電子“芯”力量
汽車作為當下最火熱的賽道，早已從初始的代步工具逐步蛻變，電子化在汽車發展史上發揮著至關重要的作用，2022年我國汽車電子市場規模達到9,783億元（汽車工業協會數據）。汽車工業是國家制造業的標桿，隨著汽車向電動化、智能化、網聯化、共享化推進，以人工智能、物聯網等為首的新一代信息技術深刻...
2023-04-23
汽車電子 芯片
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并聯的二極管有哪些問題
在靜態時，由于串聯各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差，導致具有漏電流的元件承受了的電壓，甚至達到擎住狀態。但只要元件具有足夠的擎住穩定性，則無必要在線路中采用均壓電阻。只有當截止電壓大于1200V的元件串聯時，一般來說才有必要外加一個并聯電阻。
2023-04-23
并聯 二極管
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還在為用氮化鎵設計高壓電源犯難？試試這兩個器件
面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。
2023-04-23
氮化鎵 高壓電源 Nexperia
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大
EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現高達數萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。
2023-04-23
OBC充電器 SiC FET
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