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祝賀貿(mào)澤ECAD模型下載次數(shù)突破百萬
2021年8月26日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其工程客戶通過mouser.com 上的ECAD資源下載模型的次數(shù)突破了100萬。 自全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子推出ECAD網(wǎng)站以來，已有來自181個國家/地區(qū)將近10萬名獨立用戶下載了貿(mào)澤的ECAD模型。
2021-09-01
貿(mào)澤 ECAD模型 下載
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貿(mào)澤與ADI聯(lián)手推出新電子書《Industry 4.0 and Beyond》
2021年8月25日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices Inc.聯(lián)手推出新電子書Industry 4.0 and Beyond，探索工業(yè)4.0的技術(shù)創(chuàng)新和廣泛應用。在這本書中，Analog Devices的技術(shù)專家就工業(yè)連接、狀態(tài)監(jiān)測、軟件可配置硬件、工廠安全以及機...
2021-09-01
貿(mào)澤 ADI 電子書
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利用寬帶隙半導體技術(shù)提高功率轉(zhuǎn)換效率
寬帶隙半導體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2021-09-01
寬帶隙半導體技術(shù) 功率轉(zhuǎn)換效率
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改進JBS結(jié)構(gòu)以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力
肖特基二極管（SBD）具有反向恢復時間（trr）短、正向電壓（VF）低等優(yōu)點，但也存在泄漏電流大等缺點。東芝的SiC SBD使用改進的結(jié)構(gòu)克服了這個缺點。
2021-09-01
JBS結(jié)構(gòu) 泄漏電流 浪涌電流
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安森美AR0234CS圖像傳感器獲人工智能產(chǎn)品創(chuàng)新獎
安森美(onsemi，納斯達克股票代號：ON)宣布其全局快門AR0234CS 230萬像素CMOS圖像傳感器在“2021年中國人工智能卓越創(chuàng)新獎”評選中獲選為“最具創(chuàng)新價值產(chǎn)品獎”。
2021-09-01
安森美 圖像傳感器 人工智能
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使用增強模式NMOS晶體管的簡單差分放大器
本次實驗旨在研究使用增強模式NMOS晶體管的簡單差分放大器。2021年6月學子專區(qū)文章 中提出的關(guān)于硬件限制問題的說明對本次實驗也是有效的。通過提高信號電平，然后在波形發(fā)生器輸出和電路輸入之間放置衰減器和濾波器（參見圖1），可以改善信噪比。本次實驗需要如下材料：
2021-09-01
增強模式 NMOS晶體管 差分放大器
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芯和半導體參展DesignCon2021大會，發(fā)布高速仿真EDA 2021版本
2021年8月19日，中國上海訊——國產(chǎn)EDA行業(yè)的領軍企業(yè)芯和半導體，在美國圣何塞舉行的2021年DesignCon大會上，正式發(fā)布其高速仿真EDA解決方案2021版本。
2021-08-31
芯和半導體 DesignCon2021 高速仿真EDA
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Cree | Wolfspeed與ST擴大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應協(xié)議
2021年8月19日，美國北卡羅萊納州達勒姆訊 –– 全球碳化硅技術(shù)領先企業(yè)科銳Cree, Inc.（美國納斯達克上市代碼：CREE）與意法半導體STMicroelectronics（美國紐約證券交易所上市代碼：STM）宣布擴大現(xiàn)有的多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應協(xié)議。科銳旗下 Wolfspeed 是全球 SiC 技術(shù)引領者。意法半導體是...
2021-08-31
Cree ST SiC晶圓
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芯和半導體發(fā)布基于微軟Azure的EDA云平臺
2021年8月**日，中國上海訊——國內(nèi)EDA行業(yè)領導者，芯和半導體科技（上海）有限公司（以下簡稱“芯和半導體”）在美國圣何塞舉行的2021年DesignCon大會上，正式發(fā)布其基于微軟Azure的EDA云平臺。
2021-08-30
芯和半導體 Azure EDA云平臺
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