中文在线中文资源,色鲁97精品国产亚洲AV高,亚洲欧美日韩在线一区,国产精品福利午夜在线观看

你的位置:首頁 > 電路保護 > 正文

什么是總柵極電荷(Qg)?

發布時間:2021-08-16 責任編輯:lina

【導讀】"總柵極電荷(Qg)是指為導通(驅動)MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時也稱為柵極總電荷。"單位為庫侖(C),總柵極電荷值較大,則導通MOSFET所需的電容充電時間變長,開關損耗增加。數值越小,開關損耗(切換損耗)越小,從而可實現高速開關。
 
 什么是總柵極電荷(Qg)?
 
"總柵極電荷(Qg)是指為導通(驅動)MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時也稱為柵極總電荷。"單位為庫侖(C),總柵極電荷值較大,則導通MOSFET所需的電容充電時間變長,開關損耗增加。數值越小,開關損耗(切換損耗)越小,從而可實現高速開關。
 
總柵極電荷和導通電阻
 
如上所述,總柵極電荷的值越小,開關損耗越小。而且,導通電阻值越小,工作時的功耗越小。
然而,總柵極電荷和導通電阻的特性處于權衡關系。
通常,MOSFET的芯片尺寸(表面積)越小,總電荷量越小,但導通電阻值會變大。
換句話說,開關損耗與工作時的功耗之間存在權衡關系。
 
動態輸入特性
 
什么是總柵極電荷(Qg)?
 
動態輸入特性
 
該圖為動態輸入(Qg –VGS)的特性例。
在圖中,常溫下的漏極側電源電壓(VDD )和漏極電流(ID )是固定特性, VDD = 300 V , ID = 30A 時所需的最小電荷量約為60nC。此時的柵源電壓 (VGS ) 為6.5V。
實際上是在MOSFET完全導通的情況下,調整有權衡關系的導通電阻值,從而設定柵源電壓(VGS ) 。
此時,可從圖表讀取設定電壓和總柵極電荷(Qg)(例如, VGS = 10 V 時為85nC , VGS = 15V 時為 130nC )。
 
文章來源:羅姆
 
免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請電話或者郵箱聯系小編進行侵刪。
 
 
推薦閱讀:
貿澤電子與LightWare LiDAR簽署全球分銷協議
如何快速實現疫苗冷鏈運輸的數據監控?
IGBT驅動器的電流隔離
功率因素校正電路PFC電感旁路二極管的作用
AIoT碎片應用和算力撬動新機遇,兆易創新多元化存儲布局背后邏輯揭秘
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

  • <center id="09kry"></center>

  • 主站蜘蛛池模板: 黑山县| 加查县| 大悟县| 垦利县| 扎鲁特旗| 会同县| 同仁县| 寻乌县| 两当县| 永济市| 类乌齐县| 南投县| 唐海县| 晋城| 桃江县| 资兴市| 兰坪| 分宜县| 叶城县| 沁源县| 双峰县| 射洪县| 邯郸市| 紫云| 杭锦旗| 砀山县| 黄骅市| 天水市| 太仓市| 阿城市| 石家庄市| 包头市| 承德县| 东丰县| 高邮市| 吴桥县| 鹤峰县| 美姑县| 闻喜县| 新宾| 砚山县|