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巧避兩大因素，延長CMOS使用壽命
對于模擬CMOS而言，有兩大主要危害，其一是靜電，其二是過壓。因此，要做好CMOS的保護，就需從這兩大主要因素入手，避免錯誤地使用CMOS，從而延長CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應對這兩大危害。
2013-06-19
CMOS 電路 CMOS器件 靜電 過壓
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保護LED免受EOS損傷的兩大防護方案對比
LED 器件很容易受到EOS的損傷，這種損壞有時能夠直接擊壞器件造成失效。本文講到的兩種EOS防護方案，一是用TVS穩壓管來進行保護，另一種則是采用PolyZen系列元器件，兩種方案孰優孰劣？請看下文。
2013-06-18
EOS LED 電路保護 保護器件 PolyZen
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防止鋰離子電池組短路新方法
鋰離子電池存在短路風險，而對于動力電池組而言，其多達幾百甚至上萬節的鋰離子電池更是大大增加了其發生短路的概率，而一旦短路將極易導致惡性事故的發生，因此做好鋰離子電池組短路保護十分重要且必要。
2013-06-07
電池 短路 鋰離子電池
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能降低成本的三端并聯穩壓器
在電源變換器設計中往往使用價格較高的傳統運算放大器，而本文主要通過實例說明怎樣用一個較之廉價的三端并聯穩壓器去實現同樣的功能。
2013-06-01
并聯穩壓器 TL431 三端穩壓器
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基于TE mini array 的ESD防護設計
IC的集成度越來越高，但唯獨 ESD 防護功能無法集成，卻變得更為敏感。因此對于IC的ESD防護也十分重要且必不可少。本文將講解基于TE的ESD靜電防護產品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防護設計。
2013-05-23
ESD TE 靜電防護 USB
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如何設計智能時代電子產品電路保護的精華資料下載
第十四屆電路保護與電磁兼容技術研討會剛落幕不久，在研討會上很多知名廠家做出精彩的技術演講，助力中國電子行業的設計工程師的原創設計, 幫助工程 師解決設計中的電路保護與電磁干擾問題，提高設計效率，加快產品競爭力和上市時間！ 本站編輯精心為大家整理了檳城電子、AEM、新鉑錸電子等領軍...
2013-05-20
電路保護 資料 電子產品
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一種更精確的IGBT防護設計探究
在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種失效問題，這一直是IGBT領域的研究熱點，給廣大設計者帶來了不少麻煩。本文將突破傳統的保護方式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。
2013-05-10
IGBT 電路保護
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基于AZ1065的USB 3.0介面ESD防護設計
USB3.0具有高達5Gbps的資料傳輸速度，但其控制晶片對ESD的耐受能力也快速下降，加上最普遍的USB熱插拔動作，也極易造成電子系統工作異常，甚至造成USB控制晶片毀壞，因此，使用額外的ESD保護元件于USB3.0介面來防止ESD事件對資料傳輸的干擾是絕對必要的。
2013-05-09
USB 3.0 ESD防護 ESD
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AEM新型0.25pF玻璃陶瓷ESD保護器件
目前市場上的ESD保護器件主要以TVS二極管、壓敏電阻和PESD為主，但最近AEM科技推出的新型玻璃陶瓷ESD器件，它可實現小于0.25pF的寄生電容，響應時間低于1ns，完全滿足最新USB、HDMI等高速接口的ESD保護需要。
2013-04-26
ESD 玻璃陶瓷 AEM 靜電保護
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