【導(dǎo)讀】在過去的文章中，我們曾經(jīng)討論過IGBT在關(guān)斷的時候，集電極會產(chǎn)生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？）。
IGBT關(guān)斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應(yīng)力。哪怕這電壓尖峰時間很短，也可能對IGBT造成永久性損壞。
di/dt與IGBT芯片特性有關(guān)，也與關(guān)斷時器件電流有關(guān)。當(dāng)器件在短路或者過流狀態(tài)下關(guān)斷時，集電極電壓過沖會格外大，有可能超過額定值，從而損壞IGBT。
所以如何抑制關(guān)斷時的電壓尖峰，是一個值得探討的話題。
從集電極過沖電壓計算公式：
V=Ls*di/dt
我們可以看出，降低電壓過沖有兩條路：
1. 降低系統(tǒng)雜散電感
2. 減小電流，從而降低電流變化率di/dt
3. 驅(qū)動慢一些，從而降低電流變化率di/dt
要降低系統(tǒng)雜感，是一個系統(tǒng)層面的問題，這個我們單開題再說。
但降低電流變化率di/dt會增加關(guān)斷損耗，如何解決這樣矛盾呢？
本文主要想從驅(qū)動設(shè)計的角度，探討一些降低電流變化率，從而抑制電壓過沖的方法。
降低電流變化率，很多人想到的第一個辦法是增加門極電阻，但這一方法并不總是有用，尤其是對FS+trench stop的技術(shù)。略微增加門極電阻甚至可能增加di/dt，當(dāng)門極電阻增加到非常大的時候，才會降低di/dt。一味地增加門極關(guān)斷電阻，會顯著增加關(guān)斷損耗，因此這種方法并不可取。
IGBT4的關(guān)斷波形改變門極電阻，集電極過電壓并沒有明顯變化
那么除了增加門極電阻，還有什么辦法可以降低di/dt？從驅(qū)動角度看，有三種辦法：
1 兩電平關(guān)斷
兩電平關(guān)斷的思路是在關(guān)斷過程中減慢關(guān)斷速度，減少di/dt，從而把關(guān)斷過電壓降低到一個合理的值。當(dāng)IGBT被 關(guān)斷時，柵極電壓不是直接降低到0V或者負(fù)電壓，而是在很短的時間內(nèi)，柵極電壓先降到UTLTO，這個電壓低于正常導(dǎo)通電壓，但是高于米勒平臺的電壓。然后再從UTLTO降低到0V或者是負(fù)電壓。一般來說，UTLTO可以選擇9~14V之間的電壓，UTLTO的電壓和持續(xù)時間長度可調(diào)節(jié)。
兩電平關(guān)斷功能可集成在IGBT驅(qū)動芯片中，比如1ED020I12-FT。兩電平關(guān)斷的電壓和持續(xù)時間通常用一個電容CTLTO或者電容與電阻的結(jié)合體來實現(xiàn)。當(dāng)電容充電達(dá)到一個特定的值，就會觸發(fā)驅(qū)動器的輸出信號UOUT，如果輸入信號Uin比設(shè)定的tTLTO短,輸入信號通常會被抑制,而輸出信號會保持不變。
下圖給出了有無TLTO功能的關(guān)斷短路電流對比。圖a沒有使用TLTO技術(shù)而關(guān)掉了短路,而圖b顯示應(yīng)用了TLTO關(guān)斷的波形。能很清楚地看到，柵極電壓和發(fā)射極-集電極電壓中的強(qiáng)烈振蕩明顯減輕，更重要的是產(chǎn)生的過電壓降低了。在這個例子中,圖a中出現(xiàn)了1125V的峰值電壓。在圖b所示的測量方法中,電壓只有733V(在每個例子中直流母線電壓為400V,且都使用了一個400A/1.2kV的IGBT)。
(a)沒有TLTO功能
(b)有TLTO功能
兩電平關(guān)斷功能可以集成在驅(qū)動芯片中。傳統(tǒng)的集成兩電平關(guān)斷功能的IGBT驅(qū)動器IC如下圖所示。TLSET引腳外接一個肖特基二極管和一個電容，肖特基二極管用來設(shè)定兩電平關(guān)斷的電壓；而電容用來設(shè)定兩電平關(guān)斷的時間。
1ED020I12_BT/FT
而英飛凌最新推出的X3 Enhanced 驅(qū)動芯片， 1ED38X1MX12M，不需要外接電容電阻，只通過數(shù)字化的配置，即可設(shè)置兩電平關(guān)斷的電平及持續(xù)時間， 可簡化電路設(shè)計及BOM。
1ED38X1MX12M
1ED38X1MX12M 兩電平關(guān)斷時序圖
1ED38X1MX12M兩電平判斷參數(shù)設(shè)置檔位
2 軟關(guān)斷
軟關(guān)斷能夠保證短路狀態(tài)下的安全關(guān)斷。如果驅(qū)動檢測到短路，軟關(guān)斷功能不是用標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)斷電阻將IGBT的柵極電壓拉低至0V或者負(fù)電壓，而是使用一個相對高的阻抗來釋放門極電流，該阻抗能夠延遲柵極電容的放電，使IGBT關(guān)斷速度變慢。一旦柵極電壓降低到某個值（例如2V），高阻抗就會被一個低阻抗 短路，這樣可以確保快速而完全地給柵-射極電容放電。軟關(guān)斷的原理如下圖所示。
具有軟關(guān)斷功能的IGBT驅(qū)動有英飛凌1ED34X1MX12M、1ED38X1MX12M，這兩款芯片分別通過模擬和數(shù)字的方式來配置軟關(guān)斷電流，均有多達(dá)16檔的軟關(guān)斷電流檔位可選擇。
1ED34X1MX12M
1ED38X1MX12M
1ED3431的軟關(guān)斷電流調(diào)節(jié)檔位
3 有源鉗位
又稱為集射極鉗位，下面是有源鉗位的典型實現(xiàn)方式：
有源鉗位的原理是：在關(guān)斷的過程中，IGBT CE間因為di/dt產(chǎn)生電壓尖峰。只要集電極處的電位超過了二極管VD1的雪崩電壓， 單向的TVS二極管VD1就會導(dǎo)通且通過電流。電流I1流過VD1,VD2,RG和VT2，如果在柵極電阻Rg上產(chǎn)生的壓降高于IGBT的閾值電壓Vth，則IGBT再次開通，從而降低了關(guān)斷過程中的di/dt。因此，為了增加?xùn)艠O電壓，必須產(chǎn)生足夠的電流。
如果IGBT外部柵極電壓為1ohm，柵極電壓為-15V， 而閾值電壓為6V，為了再次開通IGBT，必須使有源鉗位的電流大于21A，因此TVS二極管VD1和阻斷二極管VD2必須滿足21A脈沖電流的需求。此外，TVS管必須是高壓二極管，常用的系列型號為1.5KExxx
但此種電路也有缺點，如擊穿電壓與溫度密切相關(guān)，而且阻斷二極管結(jié)電容較大，IGBT開關(guān)時，位移電流會被du/dt額外加大。
另一個更簡潔的方法是把信號反饋到驅(qū)動推挽電路之前，如下圖:
電流I2通過阻斷二極管VD5、電阻R2和MOSFET VT8。電阻R2比RG的阻值 要高很多，所以只要電流I1有一部分流出就能產(chǎn)生足夠的電壓來打開VT5和關(guān)閉VT6。一旦VT5導(dǎo)通，I1不再通過柵極電阻RG，而是對輸入電容CGE充電。所有這些對電路有如下好處:
1. 因為通過二極管的電流很低，可以用更便宜的TVS SMD二極管。
2. 所需要的空間僅由爬電距離和電氣間隙來決定。
3. 電路反應(yīng)非常快。
以上是幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法。其中有源鉗位需要高壓二極管，附加成本較高；兩電平關(guān)斷可集成在驅(qū)動芯片中，傳統(tǒng)方案僅需在驅(qū)動芯片外加二極管和電容，而最新的英飛凌1ED X3 digital版本芯片，不需外接器件即可實現(xiàn)兩電平關(guān)斷的參數(shù)調(diào)節(jié)。并且，1ED X3 analog/digital芯片還集成了軟關(guān)斷功能，無需外圍器件，即可實現(xiàn)16檔軟關(guān)斷電流的調(diào)節(jié)。
來源：英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體，作者：趙佳
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
先進(jìn)的隔離式封裝在大功率電池充電設(shè)計中的優(yōu)勢
推進(jìn)汽車智能化和安全性，車載半導(dǎo)體為先進(jìn)功能提供支撐
