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低輻射的4開關(guān)降壓-升壓型控制器布局——單熱回路與雙熱回路
汽車應(yīng)用電路必須滿足嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn),以避免干擾廣播和移動(dòng)服務(wù)頻段。在很多情況下,Silent Switcher?和Silent Switcher 2解決方案在滿足這些標(biāo)準(zhǔn)方面可以發(fā)揮重要作用。但是,在任何情況下,都必須要精心布局。本文專門討論4開關(guān)降壓-升壓型控制器的兩種可能解決方案,并比較EMI室的測(cè)量結(jié)果。
2021-08-12
降壓-升壓型控制器 布局
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熱阻和散熱的基礎(chǔ)知識(shí):對(duì)流中的熱阻
繼上一篇文章“傳導(dǎo)中的熱阻”之后,本文將介紹“對(duì)流”中的熱阻。我們首先會(huì)對(duì)對(duì)流進(jìn)行介紹,之后會(huì)對(duì)對(duì)流熱阻的公式進(jìn)行講解。
2021-08-04
熱阻 散熱 對(duì)流
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熱阻和散熱的基礎(chǔ)知識(shí):傳導(dǎo)中的熱阻
在上一篇文章中,介紹了熱傳遞的三種主要形式:傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射。從本文開始,我們將介紹每種熱傳遞方式的熱阻。首先從“傳導(dǎo)”中的熱阻開始。下面將具體介紹熱能是如何在物質(zhì)中通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式進(jìn)行轉(zhuǎn)移的。
2021-08-04
熱阻 散熱 基礎(chǔ)知識(shí)
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汽車電子系統(tǒng)中的電磁干擾緩解技術(shù)如何部署?
電磁干擾 (EMI) 緩解技術(shù)與車輛系統(tǒng)架構(gòu)的最佳性能息息相關(guān)。車輛中的關(guān)鍵區(qū)域可能會(huì)受到 EMI 的嚴(yán)重影響并導(dǎo)致電子電路性能不佳,尤其是在汽車電源中,這是整個(gè)車輛電氣/電子系統(tǒng)的核心。
2021-08-02
汽車電子系統(tǒng)中 電磁干擾 緩解技術(shù)
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SMPS電感的安裝方向會(huì)影響輻射嗎?
開關(guān)模式電源(SMPS)產(chǎn)生的EMI輻射頻譜是由許多參數(shù)組成的函數(shù),包括熱回路大小、開關(guān)速度(壓擺率)和頻率、輸入和輸出濾波、屏蔽、布局和接地。一個(gè)潛在的輻射源是開關(guān)節(jié)點(diǎn),在很多原理圖上稱為SW。SW節(jié)點(diǎn)銅可用作天線,發(fā)射快速高效的高功率開關(guān)事件產(chǎn)生的噪聲。這是大多數(shù)開關(guān)穩(wěn)壓器的主要輻射源。
2021-08-01
SMPS電感 安裝方向 影響輻射
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柵極-源極電壓的浪涌抑制方法
在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2021-07-06
柵極-源極電壓 浪涌 抑制方法
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防輻射硅仍然是空間電子領(lǐng)域的標(biāo)桿
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)壽命和輪廓,設(shè)計(jì)人員在某些情況下可能會(huì)考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 COTS 電子設(shè)備與抗輻射(rad-hard)設(shè)備有很大不同。Si MOSFET等抗輻射組件經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、測(cè)試和驗(yàn)證,可在最惡劣的工作條件下運(yùn)行,例如長(zhǎng)時(shí)間暴露在太...
2021-07-04
防輻射硅 空間電子
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隔離信號(hào)和電源的4個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題
高壓電路設(shè)計(jì)需要通過(guò)隔離來(lái)保護(hù)操作人員、與低壓電路進(jìn)行通信并消除系統(tǒng)內(nèi)不必要的噪聲。數(shù)字隔離器提供了一種簡(jiǎn)單可靠的方法,可以在工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高壓隔離通信。
2021-07-03
隔離信號(hào)和電源 常見(jiàn)問(wèn)題
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什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度非常快,以至于開關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無(wú)法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓,當(dāng)SiC MOSFET本身的電...
2021-06-10
柵極 源極電壓 浪涌
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