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思可達開發(fā)出透射率高達97％的太陽能電池用玻璃
河南思可達新型能源材料有限公司在正于上海市舉辦的太陽能發(fā)電展“第四屆（2010）國際太陽能光伏大會暨(上海)展覽會上，展出了透射率為97％以上的“超透射玻璃”。“僅使用該玻璃，太陽能電池的轉換效率就會增加2～3％”。
2010-05-13
思可達 太陽能 電池 玻璃
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ACNV2601：Avago推出適合高絕緣電壓應用的10MBd數(shù)字光電耦合器
Avago Technologies(安華高科技)宣布推出具備高絕緣電壓規(guī)格的10MBd數(shù)字光電耦合器，適合電源和高功率電機控制應用。Avago是為通信、工業(yè)和消費類等應用領域提供模擬接口零組件的領導廠商。
2010-05-13
ACNV2601 Avago 高絕緣電壓 光電耦合器
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電子元件細分行業(yè)是產(chǎn)業(yè)升級關鍵
集成電路等電子元器件細分行業(yè)，是產(chǎn)業(yè)結構升級推進的關鍵，制約著國內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)建設。
2010-05-13
電子元件 封裝 通富微電 集成電路 BAG
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安森美半導體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應商”獎
應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領先的無線通訊技術產(chǎn)品和服務提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應商”獎
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高MDmesh V功率密度
功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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力科公司宣布實時帶寬高達60GHz的示波器新技術演示成功
力科公司今天宣布：第六代DBI技術成功地在紐約實驗室演示。最新一代的技術使用新的前端芯片，可以提供更低的噪聲以及更高的模擬帶寬。新的半導體工藝可以使新的DBI技術提供更低的噪聲，實時帶寬高達60GHz，是目前業(yè)界已產(chǎn)品化的最高帶寬示波器的2倍帶寬。 目前已在客戶端使用的最快帶寬30GHz示波器...
2010-05-12
60GHz 示波器 力科
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異步電動機調(diào)速控制
變極調(diào)速是通過改變定子空間磁極對數(shù)的方式改變同步轉速，從而達到調(diào)速的目的。在恒定頻率情況下，電動機的同步轉速與磁極對數(shù)成反比，磁極對數(shù)增加一倍，同步轉速就下降一半，從而引起異步電動機轉子轉速的下降。本文講解異步電動機調(diào)速的原理和控制電路
2010-05-11
異步電動機 雙速三相 三速三相
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英飛凌推出大幅延長IGBT模塊使用壽命的全新.XT技術
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。
2010-05-11
英飛凌 IGBT .XT技術
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