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CMOS迎來轉折點 從15nm向立體晶體管過渡

發布時間:2010-09-26 來源:日經BP社

CMOS晶體管的新聞事件:

  • 2013年將由平面晶體管向三維溝道的晶體管過渡

CMOS晶體管的事件影響:

  • 對各公司的微細化競爭帶來影響
  • 元件材料及曝光技術出現轉折


邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后,估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。

元件材料及曝光技術也會出現轉折

“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以后的工藝中,立體晶體管不可或缺”(臺積電)。各公司此前從未對現行晶體管技術的界限作出過這樣的斷言。這是因為各企業認識到現行技術無法解決漏電流増大等問題。另外,各公司目前瞄準11nm以后的工藝,正在開發使用Ge及Ⅲ-V族半導體的高遷移率溝道技術。估計此前主要以硅為對象的材料技術早晚也會迎來重大轉變。

關于對微細化起到關鍵作用的光刻技術,EUV曝光及EB曝光等新技術正不斷走向實用化。目前已相繼出現為生產線引進曝光裝置并形成15nm以后微細圖案的事例。
 

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