2012電力電子展上 隆羅姆半導體攜SiC模塊首次亮相
羅姆將以SiC為首的功率元件事業作為發展戰略之一定位，今后，加強實現更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產品陣容的同時，不斷推進完善SiC 溝槽式MOSFET和SiC -IPM(智能電源模塊)等SiC相關產品的陣容與量產化。
損耗低，因此發熱少，可減小冷卻裝置體積，實現設備整體的小型化
據悉，通過羅姆開發出的獨創的缺陷控制技術和篩選法，使可靠性得以確保。另外，針對SiC制備過程中特有的1700℃高溫工序，為了防止其發生特性劣化，羅姆開發了控制技術，于世界首家確立了"全SiC"功率模塊的量產體制。
低電壓時防止誤操作功能、熱保護功能、短路保護功能、短路保護時軟關斷功能
日本知名半導體制造商羅姆(ROHM)將參加2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉辦的“PCIM-ASIA 2012電力電子、智能運動、可再生能源與能源管理國際展覽會暨研討會”。
首次亮相PCIM-ASIA展覽會的羅姆半導體將為觀眾及采購商帶來全新的產品羅姆“全SiC”功率模塊。該模塊內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成，應用于工業設備、太陽能電池、電動汽車、鐵路等中負責電力轉換的變頻器、轉換器。
同時，羅姆半導體帶來了面向車載“內置絕緣元件的門極驅動”，此款驅動行業唯一對應SiC的內置絕緣元件門極驅動，有效促進EV、HEV變頻器電路的小型化和低電力消耗。主要應用于：EV/HEV/PHEV用變頻器、EV/HEV/PHEV用DC/DC轉換器、EV/PHEV用車載充電器。
特點：①采用羅姆自主研發的無鐵芯變壓器技術，內置2,500Vrms絕緣元件
?、谛⌒头庋b：與以往產品相比，封裝面積降低50%以上 SSOP-B20W(6.5mm×8.1mm H=Max2.01mm)
?、鄞钶d所有車載變頻器電路的保護功能，實現安全設計：米勒鉗位功能、故障輸出功能、
特點:
開關損耗降低85%。內置最先進的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊，
與傳統的Si-IGBT相比，開關損耗可降低85%
與傳統的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時，體積減小約50%
