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美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT

發布時間:2013-08-21 責任編輯:admin

【導讀】近日,美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT,快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業界最佳的開關損耗性能。專為嚴苛環境工作而設計,尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。
 
美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)產品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPT IGBT產品系列專為嚴苛環境工作而設計,尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。
 
美高森美新的功率器件通過提供業界最佳的損耗性能來改進效率,與最接近競爭廠商的IGBT產品相比,效率提高了大約8%。新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150 kHz的極高開關速率,在與美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)續流二極管(free-wheeling diode)配對使用,開關速率可獲得進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用,這些領先的650V NPT IGBT通過替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,可讓開發人員降低總體系統成本。
下一代650V產品系列中的所有器件都基于美高森美先進的Power MOS 8™ 技術,并且采用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)工藝。與競爭解決方案相比,顯著降低總體開關損耗,且可讓器件在難以置信的快速開關頻率工作。利用公司大功率高可靠性市場的傳統,美高森美期望擴大IGBT市場份額,根據Yole Développement最新報告,這個市場正從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。
這些NPT IGBT器件易于并聯(Vcesat正溫度系數),可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在嚴苛的工業環境中可靠運作。
 
新的IGBT器件備有各種封裝,包括TO-247、T-MAX和模塊。要了解更多信息或獲取樣品,請聯絡當地分銷商或美高森美銷售代表,或發送電子郵件到[email protected]。要了解更多的生產信息,請訪問公司網站www.microsemi.com。
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