中文在线中文资源,色鲁97精品国产亚洲AV高,亚洲欧美日韩在线一区,国产精品福利午夜在线观看

你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

技術解析:雙向可控硅的導通階段設計

發布時間:2015-12-18 責任編輯:echolady

【導讀】雙向可控硅憑借僅使一個觸發器就能夠觸發的優勢,成為目前理想且實用的交流開關器件。隨著雙向可控硅在電子電路中的應用逐漸增多,雙向可控硅的原理和應用也逐漸受到關注。本文就詳細介紹了雙向可控硅導通的設計準則。

導通

 
技術解析:雙向可控硅的導通階段設計
技術解析:雙向可控硅的導通階段設計
在負載電流過零時,門極用直流或單極脈沖觸發,優先采用負的門極電流,理由如下。若運行在3+象限,由于雙向可控硅的內部結構,門極離主載流區域較遠,導致下列后果:

1.高IGT:需要高峰值IG。

2.由IG觸發到負載電流開始流動,兩者之間遲后時間較長:要求IG維持較長時間。

3.低得多的dIT/dt承受能力:若控制負載具有高dI/dt值(例如白熾燈的冷燈絲),門極可能發生強烈退化。

4.高IL值(1-工況亦如此):對于很小的負載,若在電源半周起始點導通,可能需要較長時間的IG,才能讓負載電流達到較高的IL。在標準的AC相位控制電路中,如燈具調光器和家用電器轉速控制,門極和MT2的極性始終不變。這表明,工況總是在1+和3-象限,這里雙向可控硅的切換參數相同。這導致對稱的雙向可控硅切換,門極此時最靈敏。

說明:以1+、1-、3-和3+標志四個觸發象限,完全是為了簡便,例如用1+取代“MT2+,G+”等等。這是從雙向可控硅的V/I特性圖導出的代號。正的MT2相應正電流進入MT2,相反也是(見圖3)。實際上,工況只能存在1和3象限中。上標+和-分別表示門極輸入或輸出電流。

將上述內容進行精華總結,就是本文中想要向大家傳達的,雙向可控硅中導通的關鍵準則:設計雙向可控硅觸發電路時,只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,G+)。

本文針對雙向可控硅應用中關于導通方面的內容進行精華總結,給出言簡意賅總結內容的同時,還將規則的由來與原理進行了講解,方便讀者理解。在進行雙向可控硅設計之前不妨花上幾分鐘來閱讀本文,詳細一定會有意想不到的收獲。

相關閱讀:

可控硅整流器必須要哪些保護措施,你知道嗎?
深度剖析:雙向可控硅基礎之過零檢測與波形
支高招:可控硅調光的噪聲抑制方法

要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

  • <center id="09kry"></center>

  • 主站蜘蛛池模板: 襄城县| 夏津县| 阿拉尔市| 通榆县| 宁阳县| 东宁县| 怀仁县| 吉木乃县| 志丹县| 原平市| 平南县| 出国| 水富县| 如皋市| 四会市| 广南县| 邮箱| 英超| 平山县| 车致| 桦川县| 五台县| 德江县| 安化县| 沁阳市| 庆安县| 绥中县| 红桥区| 贡觉县| 博爱县| 台南市| 南通市| 翁源县| 扎囊县| 上饶县| 名山县| 永平县| 连平县| 团风县| 桐柏县| 苍南县|