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通信廣電

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復用三路DPDT開關

Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達670MHz的高頻信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為2.0Ω)、導通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠實現高頻切換。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關

TJ3-HT：Vishay新型環形高溫電感器

Vishay宣布推出新型環形高電流、高溫電感器。該器件具有業內最高額定及飽和電流以及業內最低電感和DCR。

2008-05-16

TJ3-HT 高溫電感器

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開關

Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開關MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個連接器實現高性能的切換。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開關

SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產品在三個主要方面提高性能：在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費電子

SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費電子

TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14

TR8 MicroTan鉭芯片電容

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源

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