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產(chǎn)品特性：

• 封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm
• 提供8V～30V VDS的功率MOSFET
• SiB408DK在10V時的導通電阻只有40m?
• SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34m?

應用范圍：

• 負載、功放和便攜式電子產(chǎn)品中的電池開關

日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的20V MOSFET。

已經(jīng)發(fā)布的Siliconix SiB414DK是首款8V單N溝道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封裝，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入進一步壯大了該產(chǎn)品系列。SiB408DK在10V時的導通電阻只有40m?，SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34m?，比最接近的競爭器件低21%。

PowerPAK SC-75封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比廣泛使用的TSOP-6器件小72%，同時具有近似的導通電阻。而對設計者來說，更小尺寸的PowerPAK SC-75能夠在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間、降低功耗，從而在滿足消費者對電池運行時間要求的前提下，提供更多的功能。

N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型應用包括負載、功放和便攜式電子產(chǎn)品中的電池開關。與常用的3mm x 3mm封裝相比，該器件可節(jié)約在1/8磚或1/16磚電源模塊中的所占空間。SiB408DK還可用做筆記本電腦和上網(wǎng)本中的負載開關。

這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通過了Rg和UIS測試。

器件規(guī)格表

型號	SiB414DK	SiB412DK	SiB408DK
VDS	8 V	20 V	30 V
VGS	± 5 V	± 8 V	± 20 V
RDS(ON) @ 10 V			40 m?
RDS(ON) @ 4.5 V	26 m?	34 m?	50 m?
RDS(ON) @ 2.5 V	30 m?	40 m?
RDS(ON) @ 1.8 V	37 m?	54 m?
RDS(ON) @ 1.5 V	52 m?
RDS(ON) @ 1.2 V	89 m?

新款N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。