- PowerFill外延硅工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充
- 可以實(shí)現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間
- 電源管理器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精湛的工藝技術(shù)，因?yàn)樗峭惲鞒趟俣鹊?倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計(jì)在設(shè)計(jì)程度上新的級(jí)別。
Fairchild半導(dǎo)體公司是第一家客戶，以處理其先進(jìn)電源管理器件，已完成其在韓國(guó)工廠的核實(shí)。對(duì)于這種應(yīng)用，ASM的PowerFill的處理可以實(shí)現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產(chǎn)成本。
“對(duì)于離散式功率的要求MOSFETs是要降低電阻導(dǎo)通，降低柵極電荷和提高電流能力” Fairchild的技術(shù)處理主管C.B. Son表示。 “具備PowerFill的Epsilon工具的性能一直令人印象深刻的，其一個(gè)重要的有利因素就是我們可以成功地融入這一先進(jìn)的溝槽外延處理，能我們認(rèn)識(shí)到，因成本節(jié)省而帶來(lái)的加工吞吐量的顯著改善。”
與其它需要通過(guò)外延反應(yīng)堆進(jìn)行多重傳遞來(lái)實(shí)現(xiàn)類似設(shè)備結(jié)構(gòu)的處理相比而言，創(chuàng)新后的ASM Epsilon溝槽填補(bǔ)技術(shù)的開發(fā)能夠在無(wú)縫隙外延處理一步完成。單一步驟的處理能夠使硅外延處理的吞吐量增加三倍，同時(shí)保持無(wú)縫隙填充的特性，均勻性好，產(chǎn)量高。ASM外延技術(shù)總監(jiān)Shawn Thomas說(shuō)到：“這種高速溝槽填充技術(shù)的開發(fā)將是展示ASM與客戶合作，使先進(jìn)的材料和批量生產(chǎn)外延技術(shù)的一個(gè)例證”。
