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兩款封裝式低噪聲放大器:用于無線基礎設施

發布時間:2012-12-21 責任編輯:easonxu

【導讀】TriQuint推出50MHz至4GHz低噪聲放大器。除了在無線基礎設施中實現高性能之外,還可用于從中繼器和塔式安裝放大器到通用電路等需要高線性度、寬帶低噪聲增益模塊的各種系統。


TriQuint推出兩款封裝式低噪聲放大器 (LNA) 增益模塊-TQP3M9035和TQP3M9038,可在50 MHz至4 GHz極寬帶寬范圍內提供經濟型的高性能。這兩款放大器產品具有極高線性度和極低噪聲的特點,非常適用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站應用。

除了在無線基礎設施中實現高性能之外,新的TQP3M9035和TQP3M9038還可用于從中繼器和塔式安裝放大器到通用電路等需要高線性度、寬帶低噪聲增益模塊的各種系統。

新的TQP3M9035具有+37dBm高三階交調截取點 (OIP3) 和0.66dB極低噪聲、16.5dB增益和在1dB增益壓縮(P1dB)射頻輸出功率為22.5dB。典型使用包括接收器和發射增益模塊放大器、中頻增益模塊放大器和用于極小口徑終端 (VSAT) 的中頻放大器、以及點對點微波無線電中的第一、第二或第三低噪聲放大器。該器件還具有TDD-LTE系統要求的集成式數字關斷偏壓能力。TQP3M9038的OIP3為+39.5 dBm、噪聲系數為2dB、14.9dB的平坦增益響應(500 MHz - 3.5 GHz帶寬范圍上偏離只有+/-0.3dB)和+21.6dBm的P1dB射頻輸出功率。

TriQuint使用其高性能E-pHEMT工藝為這兩種新器件提供內部匹配。即使器件在極寬頻率范圍內工作,內部匹配可消除對許多典型外置優化電路的需要。只需要一個外置射頻扼流圈以及隔離/旁路電容,操作在一個單一的+5V電源供電。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分別只有110 mA和85mA。兩款器件均采用內置有源偏壓電路,以便在偏壓和溫度變化時也能穩定運行。TQP3M9035采用2x2mm DFN封裝,TQP3M9038采用3x3mm QFN 封裝;二者都符合RoHS標準的要求。

技術細節:

TQP3M9035:50 MHz - 4 GHz 高線性度低噪聲放大器;0.66dB噪聲系數;+37dBm OIP3;+22.5dBm P1dB射頻輸出功率;16.5dB 增益。提供關斷能力,內匹配;在110 mA,+5V單電源運作;2x2mm DFN 塑料封裝。

TQP3M9038:50 MHz - 4 GHz 高線性度低噪聲放大器;2dB噪聲系數;+39.5dBm OIP3,21.6dB P1dB 射頻輸出功率,14.9dB +/-0.3dB (500 MHz-3.5 GHz) 極平坦增益響應。內匹配;在85 mA, +5V單電源運作;3x3mm QFN封裝。

新TQP3M9035和TQP3M9038目前在產。TQP3M9035可提供完全組裝的500 MHz - 4 GHz評估裝置。TQP3M9038的裝置包括中頻版本 (50 - 500 MHz) 和射頻版本 (500 MHz - 4 GHz)。
 

 

 

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