中文在线中文资源,色鲁97精品国产亚洲AV高,亚洲欧美日韩在线一区,国产精品福利午夜在线观看

你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

利用先進的電荷平衡技術,導通電阻極低的MOSFET

發布時間:2012-12-27 責任編輯:easonxu

【導讀】新型MOSFET輸出電容具有較低的存儲電能(Eoss),可提高輕負載條件下的效率,另外所提供的體二極管穩定性一流,可提高諧振轉換器中系統的可靠性。


服務器、電信、計算等高端的AC-DC開關模式電源(SMPS)應用以及工業電源應用需要較高的功率密度,因此要獲得成功,設計人員需要采用占據更小電路板空間并能提高穩定性的高性價比解決方案。

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET II MOSFET系列產品,幫助設計人員解決這些挑戰。

圖題:600V N溝道SuperFET II MOSFET
圖題:600V N溝道SuperFET II MOSFET

SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產品系列推出,這些MOSFET的輸出電容具有較低的存儲電能(Eoss),可提高輕負載條件下的效率,另外所提供的體二極管穩定性一流,可提高諧振轉換器中系統的可靠性。

這些MOSFET利用先進的電荷平衡技術,導通電阻極低,并且具有較低的柵極電荷(Qg)性能,可實現較低的品質因數(FOM)。 這些器件集成了某些特性,其中包括可極大降低柵極振蕩并提高系統整體性能的柵極電阻(Rg),從而在簡化設計中減少了元器件數目,實現了效率和性價比更高的設計。

優勢與特點:

SuperFET II MOSFET
開關速度更快,可最大限度提高系統效率
功率密度更高
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
易于設計和使用
開關性能得到優化
電磁干擾(EMI)噪聲低
異常情況下能可靠運行

按請求提供樣品。交貨期:收到訂單后8-12周內
交貨期:收到訂單后8-12周內
 

要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

  • <center id="09kry"></center>

  • 主站蜘蛛池模板: 新民市| 仙居县| 东阿县| 垫江县| 江西省| 彝良县| 潜江市| 江陵县| 临朐县| 威海市| 游戏| 新密市| 漳浦县| 大理市| 池州市| 凤冈县| 泊头市| 钟祥市| 冕宁县| 景宁| 和林格尔县| 介休市| 抚州市| 奉新县| 泰兴市| 怀仁县| 岫岩| 贺州市| 江都市| 朝阳县| 宾川县| 光泽县| 铜陵市| 高雄市| 习水县| 若尔盖县| 西丰县| 保康县| 枝江市| 涟水县| 兴安盟|