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美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工業應用

發布時間:2013-04-07 來源:電子元件技術網 責任編輯:hedyxing

【導讀】美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A額定電流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件設計用于大功率、高性能的工業應用。

美高森美的NPT IGBT產品系列設計用于需要大功率和高性能廣大范圍的工業應用,最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器,以及不間斷電源和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以美高森美的先進Power MOS 8技術為基礎,與競爭解決方案相比,總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。

美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產品系列中的所有器件相一致,可以與美高森美的FRED或碳化硅肖特基二極管組合封裝,為工程師提供高集成度解決方案,以便簡化產品開發工作。其它特性包括:

- 與同類器件相比,柵極電荷顯著減少,具有更快的開關性能;
- 硬開關運作頻率超過80KHz,實現高效的功率轉換;
- 易于并聯(Vcesat的正溫度系數),提升大功率應用的可靠性
- 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要- 短路能力的應用中實現可靠運作

除了器件優勢之外,美高森美為NPT IGBT器件提供貼片 D3封裝,可讓設計人員實現更高的功率密度和更低的制造成本。

封裝和供貨

美高森美的1200V NPT IGBT產品系列現在包括20多款器件,額定電流有25A、40A、50A、70A和85A,IGBT產品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。
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