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飛兆新型四路MOSFET,功耗降低10倍

發(fā)布時(shí)間:2013-05-07 責(zé)任編輯:eliane

【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體最新推出的FDMQ86530L 60V四路MOSFET采用其GreenBridge技術(shù),改進(jìn)了傳導(dǎo)損耗和傳統(tǒng)二極管整流橋的效率,將功耗降低了10倍,該器件采用4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝,實(shí)現(xiàn)了最小尺寸、最大熱性能和最高效率。

高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過(guò)熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問(wèn)題。 同樣,熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器,也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量,占用電路板空間,讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。飛兆半導(dǎo)體的FDMQ86530L 60V四路MOSFET為設(shè)計(jì)人員提供了一體式封裝,有助于克服這些嚴(yán)峻的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

飛兆FDMQ86530L60V四路MOSFET
飛兆FDMQ86530L 60V四路MOSFET

FDMQ86530L解決方案由四個(gè)60V N溝道組成,采用飛兆GreenBridge技術(shù),改進(jìn)了傳導(dǎo)損耗和傳統(tǒng)二極管整流橋的效率,將功耗降低了10倍。 該器件采用熱增強(qiáng)、節(jié)省空間的4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝,免去了散熱需要,實(shí)現(xiàn)了緊湊設(shè)計(jì),提高了12和24V AC應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換效率。

FDMQ86530L產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體全面的分立式MOSFET產(chǎn)品組合的一部分,再次體現(xiàn)了公司承諾:即提供最具創(chuàng)新的封裝技術(shù),以目前最先進(jìn)的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最小尺寸、最大熱性能和最高效率。

FDMQ86530L產(chǎn)品規(guī)格:

最大RDS(ON)= 17.5 mΩ(VGS= 10V,ID= 8A)
最大RDS(ON)= 23 mΩ(VGS= 6V,ID= 7A)
最大RDS(ON)= 25 mΩ(VGS= 4.5V,ID= 6.5A)

FDMQ86530L產(chǎn)品報(bào)價(jià)信息及交貨期

FDMQ86530L產(chǎn)品訂購(gòu)1K以上,價(jià)格為1.38美元,收到訂單后8-12周內(nèi)可交貨。

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