中文在线中文资源,色鲁97精品国产亚洲AV高,亚洲欧美日韩在线一区,国产精品福利午夜在线观看

你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

將MOS晶體管連接為二極管

發布時間:2020-07-01 來源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 責任編輯:wenwei

【導讀】本次實驗的目的是研究將MOS場效應晶體管(NMOS和PMOS)連接為二極管時的正向/反向電流與電壓特性。
 
材料:
 
●   ADALM2000主動學習模塊
●   無焊面包板
●   一個100 Ω電阻
●   一個ZVN2110A NMOS晶體管
●   一個ZVP2110A PMOS晶體管
 
NMOS說明
 
增強型NMOS晶體管柵源的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實驗室硬件和以下連接來測量。使用面包板,將波形發生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器輸入2+也連接到這里。將M1的柵極和漏極連接到R1的另一端,如圖所示。M1的源極連接至負電源Vn(–5 V)。將示波器輸入2-和示波器輸入1+連接到M1的柵極-漏極節點。示波器輸入1–最好接地,以降低噪聲影響。構建電路時,確保關閉電源Vn。確保所有連接都正確之后,接通電源。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖1.NMOS二極管連接圖。
 
硬件設置
 
波形發生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為10 V,偏移為0 V。示波器的差分通道2(2+、2-)用于測量電阻(和晶體管)中的電流。連接示波器通道1 (1+)的單端輸入,以測量晶體管兩端的電壓。流過晶體管的電流是2+和2-之間的電壓差除以電阻值(100 Ω)的結果。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖2.NMOS二極管面包板電路。
 
程序步驟
 
將捕獲的數據加載到Excel表格中,計算電流。計算并繪制電流與晶體管兩端電壓(VGS)的曲線。應沒有反向流動電流。在正向導通區域,電壓-電流應呈二次函數關系。計算并繪制電流與VGS的平方根曲線。比較兩條曲線的形狀并評論。VGS的平方根曲線。比較兩條曲線的形狀并評論。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖3.NMOS二極管XY曲線。
 
PMOS說明
 
使用PMOS器件,重復實驗。連接方法類似,如圖4所示。您可能注意到,在本示例中,示波器輸入的極性發生反向。所以,示波器屏幕的電壓和電流方向與NMOS示例中類似。M1的源極連接至正電源Vp (+5 V)。將示波器輸入2+和示波器輸入1–連接到M1的柵極-漏極節點。構建電路時,確保關閉電源(Vp)。確保所有連接都正確之后,接通電源。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖4.PMOS二極管連接圖。
 
硬件設置
 
波形發生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為10 V,偏移為0 V。示波器的差分通道2(2+、2-)用于測量電阻(和晶體管)中的電流。連接示波器通道1 (1–)的單端輸入以測量晶體管兩端的電壓。流過晶體管的電流是2+和2-之間的電壓差除以電阻值(100 Ω)的結果。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖5.PMOS二極管面包板電路。
 
程序步驟
 
將捕獲的數據加載到Excel表格中,計算電流。計算并繪制電流與VGS的曲線。應沒有反向流動電流。在正向導通區域,電壓和電流應呈二次函數關系。計算并繪制電流(ID)與VGS的平方根曲線。比較兩條曲線的形狀并評論。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖6.PMOS二極管XY曲線。
 
問題
 
●   通過繪制ID和VGS的測量數據曲線,找到并報告VTH和K (W/L)的值。比較NMOS和PMOS的VTH和K (W/L)值,有什么區別?
 
 
推薦閱讀:
 
MOS晶體管共源極放大器
多軸機器人和機床應用中的時序挑戰
為單極負電源增加高效的正供電軌
性能更佳的測量系統如何在嘈雜的環境中改善EV/HEV電池的健康狀況
貿澤聯手ADI推出全新電子書探索儲能解決方案日益增強的重要性
要采購晶體么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

  • <center id="09kry"></center>

  • 主站蜘蛛池模板: 新竹县| 宁波市| 开封市| 灵璧县| 沁阳市| 乳源| 山阴县| 招远市| 兴城市| 辰溪县| 永州市| 武鸣县| 嘉兴市| 邮箱| 西青区| 普格县| 孝昌县| 美姑县| 汨罗市| 左云县| 乌恰县| 大余县| 禄丰县| 泰顺县| 汶上县| 屯昌县| 吉木乃县| 德清县| 凤阳县| 通辽市| 化隆| 汕头市| 彭泽县| 民权县| 忻州市| 无棣县| 腾冲县| 民乐县| 临颍县| 嘉禾县| 那坡县|