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NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊
安森美半導(dǎo)體擴充了高性能時鐘和數(shù)據(jù)管理產(chǎn)品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡(luò)、電信和高端計算應(yīng)用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信應(yīng)用 振蕩器
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STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應(yīng)管
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MAX4928A/MAX4928B：Maxim新高速無源開關(guān)
Maxim推出超高速、1:2或2:1、DisplayPort/PCI Express (PCIe)無源開關(guān)MAX4928A/MAX4928B。該器件采用n溝道開關(guān)，可在圖形存儲控制中心(GMCH)與PCIe 2.0插槽或DisplayPort連接器之間切換差分信號。
2008-05-01
MAX4928A MAX4928B 無源開關(guān) DisplayPort PCI Express (PCIe)
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8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高頻整流器
日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，這些器件具有超快、超穩(wěn)定的反向恢復(fù)時間及低正向壓降，可減少高效 PFC 及 SMPS 應(yīng)用中的開關(guān)損失。
2008-04-25
8STH06FP 8S2TH06FP 15STH06FP 15S2TH06FP 高頻整流器
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南方芯源的系列無鹵化產(chǎn)品通過可靠性測試
2008年4月， Samwin系列產(chǎn)品的無鹵化產(chǎn)品通過可靠性測試，成為國內(nèi)首家提供全系列無鹵產(chǎn)品的MOSFET制造商。其中SW C1N70A(TO-92)產(chǎn)品已通過Apple公司的HF（無鹵）認證，SW I2N70(TO-251)已通過Samsung 的HF認證。
2008-04-22
SW C1N70A(TO-92) 無鹵 HF SW I2N70(TO-251)
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NTUD312x:安森美適合便攜電子產(chǎn)品應(yīng)用超小型MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出三款新的采用超小型SOT-963封裝的MOSFET，它們均針對空間受限的便攜電子產(chǎn)品進行了優(yōu)化。SOT-963的尺寸為1.0 mm×1.0 mm，這些采用SOT-963封裝的NTUD312x新器件僅有0.5 mm的低垂直凈距，滿足新世代超薄手持便攜設(shè)備的要求。
2008-04-21
NTUD312x NTUD3127C NTUD3129P MOSFET SOT-963 便攜應(yīng)用
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EPCOS新GLONASS導(dǎo)航系統(tǒng)專用SAW濾波器
愛普科斯（EPCOS）已為俄羅斯導(dǎo)航系統(tǒng)GLONASS（全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)）研發(fā)出一款專用SAW濾波器，它具有非常高的鄰道選擇性。這一性能特別重要：因為其與相鄰的提供電話服務(wù)的Inmarsat（國際海事衛(wèi)星）僅有15 MHz的頻率間隔。
2008-04-16
GLONASS導(dǎo)航系統(tǒng) SAW濾波器 聲表面型濾波器
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VMMK-1218/25:安華高面向無線通信應(yīng)用超小FET產(chǎn)品
Avago宣布，推出超小封裝尺寸場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品VMMK-1218和-1225，占用空間只有標(biāo)準(zhǔn)SOT-343封裝的5%以下，帶來具備高頻工作能力和卓越散熱效果的小型化晶體管產(chǎn)品。這些器件不需要負電壓就能工作，為射頻應(yīng)用設(shè)計工程師帶來成本更低并且使用更容易的好處。
2008-04-11
VMMK-1218 VMMK-1225 場效應(yīng)晶體管 FET
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET
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