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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速...
2022-06-21
變頻器 IGBT模塊 故障分析
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
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安森美向前推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展
2022年6月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，發(fā)布其年度可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，前稱企業(yè)社會責(zé)任（CSR）報(bào)告。為了持續(xù)努力保持我們對投資者、客戶、利益相關(guān)者和員工的透明度，該報(bào)告根據(jù)全球報(bào)告倡議組織（GRI）、氣候相關(guān)的財(cái)務(wù)披露工作組（TCFD）和可持...
2022-06-20
安森美 可持續(xù)發(fā)展
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USB供電的5.8 GHz RF LNA接收器，帶輸出功率保護(hù)功能
國際電信聯(lián)盟(ITU)分配了免許可的5.8 GHz工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)無線電頻段供全球使用。隨著無線技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)步，以及最低的法規(guī)合規(guī)要求，使此頻段在短距離無線通信系統(tǒng)中頗受歡迎。
2022-06-20
USB供電 RF LNA接收器
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如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)...
2022-06-20
CMOS開關(guān) 固態(tài)繼電器
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PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算
在通用變頻器或伺服驅(qū)動器的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PI...
2022-06-17
PIM模塊 英飛凌 變頻器
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現(xiàn)代電機(jī)設(shè)計(jì)可改進(jìn)便攜式真空吸塵器
在 21 世紀(jì)家居中，已經(jīng)有無數(shù)示例充分證明，電機(jī)這種簡單的日常設(shè)備通過現(xiàn)代設(shè)計(jì)成為了越來越多家用電器不可或缺的組成部分。電機(jī)廣泛應(yīng)用于冰箱、電腦、微波爐、風(fēng)扇、洗衣機(jī)和吸塵器等家用電器之中。同時(shí)，車庫開門器、商店真空吸塵器、園藝修剪器、無繩微耕機(jī)、電動割草機(jī)、壓力清洗機(jī)和其他庭...
2022-06-17
電機(jī)設(shè)計(jì) 便攜式 真空吸塵器
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基于小華HC32F460的10萬RPM高速風(fēng)筒方案
電吹風(fēng)已是我們生活必備的小工具，高速風(fēng)筒以其高效速干、體積小質(zhì)量輕等優(yōu)勢讓使用者獲得更好的使用體驗(yàn)，本篇將帶大家了解高速風(fēng)筒的特點(diǎn)及兩款基于小華MCU的方案，歡迎來聊。
2022-06-16
小華HC32F460 風(fēng)筒方案 立功科技
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SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動電壓
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