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SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法
針對目前雜散電感提取方法存在的問題，本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法，并基于SiC功率器件的開關(guān)瞬態(tài)特性測試平臺對本文所提雜散電感提取方法的可行性進行了驗證。與現(xiàn)有的間接測量方法不同，該方法是基于SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)振蕩頻率求解換流回路雜散電感。
2018-11-29
SiC MOSFET 電感
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功率MOSFET線性區(qū)負(fù)溫度系數(shù)
功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負(fù)溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過熱導(dǎo)致其流過更大的電流，結(jié)果溫度更高，從而形成局部熱點導(dǎo)致器件損壞，這樣就形成一個熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)。
2018-11-29
MOSFET 負(fù)溫度系數(shù) 電勢
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電源造成的車輛怠速啟停不穩(wěn)問題該怎么辦？
怠速啟停時的電池電壓下降引起的功能不全、怠速啟停后的電池電量波動(啟動)引起的誤動作等問題也是亟需要解決的問題。為此，羅姆開發(fā)出了優(yōu)異的低消耗電流和穩(wěn)定性能(瞬態(tài)響應(yīng)特性，以下簡稱“響應(yīng)性能”)的升降壓電源芯片組。
2018-11-28
電源 怠速啟停
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熟知引起電源模塊發(fā)熱的四大原因
一摸電源模塊的表面，熱乎乎的，模塊壞了？且慢，有一點發(fā)熱，僅僅只是因為它正努力地工作著。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大！基于電源模塊熱設(shè)計的知識，這一次，我們扒一扒引起電源模塊發(fā)熱的原因。
2018-11-28
電源模塊 電源發(fā)熱
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功率MOSFET線性區(qū)工作設(shè)計
功率MOSFET有三個工作狀態(tài)，在漏極導(dǎo)通特性曲線上，對應(yīng)的是三個工作區(qū)：截止區(qū)，線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到：MOSFET的線性區(qū)有時也稱為：恒流區(qū)或飽和區(qū)。
2018-11-28
MOSFET 開關(guān)電源
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分享30條開關(guān)電源工作小技巧
電源開發(fā)是個技術(shù)活，也是個累活，工作繁雜時難免會犯一些低級小錯誤。這些錯誤，會導(dǎo)致一系列的連鎖反應(yīng)，需要采購部、生產(chǎn)部、PM、品管部、業(yè)務(wù)部、工程部等眾多部門來配合，以修正你的那個小錯誤。
2018-11-27
開關(guān)電源 變壓器 電阻器
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你知道SiC MOSFET驅(qū)動負(fù)壓應(yīng)該如何選擇嗎？
SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。以下將講解如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2018-11-27
MOSFET 驅(qū)動負(fù)壓 Vth漂移
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Silicon Labs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理:電動汽車系統(tǒng)中的隔離應(yīng)用
Silicon Labs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ross Sabolcik近日分享關(guān)于電動汽車系統(tǒng)中的隔離應(yīng)用理解。在這些應(yīng)用中，電流隔離（通常是基于半導(dǎo)體的隔離）是必須的，以允許數(shù)字控制器安全地和現(xiàn)代EV高壓系統(tǒng)進行連接。
2018-11-26
電動汽車系統(tǒng) 電流隔離
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非常全面！開關(guān)電源各種元器件的計算和選型
電源工程師絕對不容錯過，這里將全面講解開關(guān)電源的各個元器件計算，損耗估算，散熱器的大小計算等內(nèi)容，建議可收藏。
2018-11-26
開關(guān)電源 元器件 計算 選型
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