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第15講：高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-14
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-24
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IGBT并聯設計指南，拿下！
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。
2025-01-24
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第14講：工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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IGBT的并聯知識點梳理：靜態變化、動態變化、熱系數
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些，才能設計出可靠的系統。
2025-01-16
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-14
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IGBT 模塊在頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
2025-01-08
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柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-25
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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-09
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安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎
智能電源和智能感知技術的領導者安森美再次榮膺電子行業資深媒體集團ASPENCORE頒發的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現獲得業界肯定。
2024-12-06
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-06
- 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議
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