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Qorvo E1B SiC模塊：成就高效功率轉換系統的秘密武器
在功率轉換中，效率和功率密度至關重要。每一個造成能量損失的因素都會產生熱量，并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統來去除。軟開關技術與碳化硅（SiC）技術的結合為提升開關頻率提供了可能；從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開關模式轉換器輸出無源元件的尺寸及數量，還為轉換器構建了減少發熱量并由此使用更小散熱片的基礎。
2024-06-18
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增進LLC電源轉換器同步整流與輕載控制模式兼容性的參數選擇策略
在追求高轉換效率的電源轉換器應用中，采用 LLC 諧振的 LLC 諧振電源轉換器（resonant power converter）電路架構因其優異的效率表現，在近年來變得相當流行。為了進一步增進 LLC 電源轉換器在重載時的工作效率，設計實例中也紛紛采用了同步整流（synchronous rectification, SR）來減少原本以二極管作為變壓器輸出側整流組件的功率損耗。此外，針對輕載效率的增進，有別于通常操作狀況所慣用的脈沖頻率調變（pulse frequency modulation, PFM），許多專用控制器也提供了輕載控制模式 （Light-load mode） 來減少切換損失。
2024-06-18
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高分辨率低功耗圖像傳感器，工業5.0進階應用必備
在更快的連接速度、更高的自動化程度和更智能系統的推動下，工業4.0加快了視覺技術在制造業中的應用，并將智能化引入到以往簡單的數據采集系統中。上一代視覺系統負責捕捉圖像，對其進行封裝以供傳輸，并為后續的FPGA、ASIC或昂貴的SoC等器件提供圖像數據進行處理。如今，工業5.0更進一步，通過在整個數據通路中融入人工智能（AI）與機器學習（ML），實現大規模定制化。攝像頭變得智能化，具備在應用層面處理的圖像數據，僅輸出用于決策的元數據。
2024-06-17
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SpectrumView跨域分析加速EMI診斷
在電源管理芯片、隔離芯片等模擬集成電路中，很多電路元件之間(如變壓器、功率管等)以及導線上都會不斷地產生各種電流電壓的變化(即dv/dt 節點和高 dI/dt 環路)，以及受高頻寄生參數的影響，這些元件通過電磁感應效應不斷地產生各種電磁波，經電源線傳導或形成天線效應對外輻射，影響到正常的電路功能，導致設備性能下降、通訊中斷或故障，甚至對周圍其它敏感電子設備正常工作造成嚴重干擾，重則會引發事故。如電源管理芯片等模擬IC器件，因其高靈敏度、系統集成度及布線布局設計等因素，極易受到EMI(電磁干擾)的影響。
2024-06-16
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貿澤新一期EIT系列帶你了解軟件定義車輛的Zonal架構
隨著汽車技術采用的電子元器件數量不斷增加，設計人員開始采用Zonal架構來充分提升各個子系統的效率，同時能夠更輕松地管理整車的硬件和軟件棧。專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出新一期Empowering Innovation Together（共求創新，EIT）技術系列，介紹Zonal架構的優勢以及它為軟件定義車輛 (SDV) 提供的增強型連接功能。本期EIT技術內容系列將深入探討Zonal架構的設計理念、虛擬化及其應用，以及它如何推動未來的汽車創新。
2024-06-13
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Vicor 電源模塊與垂直供電架構相結合，為 GenAI 提供高效供電方法
雖然人工智能有望帶來人類生產力的飛躍，但其運行時能耗巨大，導致溫室氣體的排放也顯著增加。如今，Vicor 電源模塊與垂直供電架構相結合，為 GenAI 提供了高效的供電方法，實現行業領先的電流密度。
2024-06-13
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電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一個數學模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。測試結果表明，根據閾壓為模塊選擇適合的裸片可以優化散熱性能，減少熱失衡現象。
2024-06-12
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2024年全球電子分銷商50強揭曉：Ample Solutions集團入選！
近日，Supply Chain Connect發布“全球電子分銷商50強”榜單(2024 Top 50 Global Electronics??Distributors List)，Ample??Solutions集團榮幸地躋身其中。
2024-06-12
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意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產業園
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼: STM)，宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點現有的碳化硅襯底制造廠，意法半導體將打造一個碳化硅產業園，實現公司在同一個園區內全面垂直整合制造及量產碳化硅的愿景。新碳化硅產業園的落地是意法半導體的一個重要里程碑，將幫助客戶借助碳化硅在汽車、工業和云基礎設施等領域加速電氣化，提高能效。
2024-06-08
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單相光伏并網系統的拓撲結構簡介
在單相小功率光伏并網系統中，有隔離型和非隔離型兩種拓撲結構。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點，因此非隔離型成為目前主流的拓撲結構，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓撲結構。
2024-06-08
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電源軌難管理？試試這些新型的負載開關 IC！
本文將討論負載開關的作用，其基本功能、附加功能以及高級特性，正是這些功能使得它們不僅僅相對簡單，而且可對電源軌進行電子開/關控制。文章將使用 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) 的 TCK12xBG 系列中的三個新型負載開關 IC 來描述這些要點，并展示如何應用它們來滿足最新產品設計的需要。
2024-06-06
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SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
本文將介紹根據在上一篇文章中測得的開關波形，使用線性近似法來計算功率損耗的方法。
2024-06-06
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